[發明專利]一種改進的集成電路MOSFET晶體管測試結構參數提取方法有效
| 申請號： | 201711239524.6 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN107895089B | 公開（公告）日： | 2021-06-29 |
| 發明（設計）人： | 程加力;胡全斌;董自健 | 申請（專利權）人： | 江蘇省海洋資源開發研究院（連云港） |
| 主分類號： | G06F30/3308 | 分類號： | G06F30/3308 |
| 代理公司： | 北京華仲龍騰專利代理事務所(普通合伙) 11548 | 代理人： | 李靜 |
| 地址： | 222001 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改進 集成電路 mosfet 晶體管 測試 結構 參數 提取 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改進的集成電路MOSFET晶體管測試結構參數提取方法，其特征在于，包含以下步驟：
A、提取焊盤寄生電容Cpg、Cpd和電阻Rpg、Rpd：
Ylow是由被測器件在低頻時的測試S參數轉換得到；
B、提取互連線寄生電感與電阻；提取步驟如下：
其中，B＝CgsCgd+(Cgs+Cgd)(Cds+Cjd)，通過低頻時的Y參數，提取Cgs、Cgd和Cds；
低頻時通過如下公式提取Rg、Rd、Rs；
其中參數Cm表示：
Cm＝Cgd+Cds+Cjd；
測試結構的寄生參數提取完畢之后，MOSFET晶體管的本征參數就可以基于去嵌后的S參數提取得出。
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