[發(fā)明專(zhuān)利]集成電路器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711234913.X
• 申請(qǐng)日: 2017-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108133936B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金成禹;李宰圭;徐基皙;洪亨善;黃有商;高寬協(xié)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H10B12/00
• 分類(lèi)號(hào): H10B12/00;H10B61/00;G11C11/406;G11C11/408
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 弋桂芬

本發(fā)明提供一種集成電路(IC)器件和制造該IC器件的方法，其中該IC器件可以包括包含單個(gè)芯片的單個(gè)基板以及在基板上互相間隔開(kāi)并且具有不同結(jié)構(gòu)的多個(gè)存儲(chǔ)單元。制造IC器件可以包括在基板的第一區(qū)域中形成多條第一字線(xiàn)以及在基板的第二區(qū)域中或者第二區(qū)域上形成多條第二字線(xiàn)。多個(gè)電容器可以形成在第一字線(xiàn)上。多條源極線(xiàn)可以形成在第二字線(xiàn)上。覆蓋所述多個(gè)電容器和所述多條源極線(xiàn)的絕緣層可以形成在第一區(qū)域和第二區(qū)域中。可變電阻結(jié)構(gòu)可以形成在第二區(qū)域中的與基板的上表面間隔開(kāi)第一垂直距離的位置處。

技術(shù)領(lǐng)域

發(fā)明構(gòu)思涉及集成電路(IC)器件和制造該IC器件的方法，更具體地，涉及在單個(gè)芯片中包括不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器件的IC器件以及制造該集成電路器件的方法。

背景技術(shù)

近來(lái)，諸如智能電話(huà)的電子裝置已經(jīng)快速地變得更普及，并且系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)模塊以及利用這些SiP模塊的可穿戴裝置的開(kāi)發(fā)和擴(kuò)展已經(jīng)增加。SiP模塊已經(jīng)通過(guò)將與電子器件相互作用來(lái)執(zhí)行各種功能的多個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片集成為一個(gè)封裝而獲得。因此，不同產(chǎn)品的功能已經(jīng)利用以三維(3D)方式堆疊半導(dǎo)體芯片的任何現(xiàn)有的三維(3D)封裝方法(諸如芯片上芯片(CoC)接合方法、晶片上芯片(CoW)接合方法以及晶片上晶片(WoW)接合方法)而互相補(bǔ)充或者增強(qiáng)。在一些情況下，在融合技術(shù)正在各種領(lǐng)域中被使用時(shí)，對(duì)于智能技術(shù)(IT)的融合、智能化和網(wǎng)絡(luò)化以及裝置的小型化的需求已經(jīng)增加。此外，需要具有根據(jù)現(xiàn)有的3D封裝方法不能處理的各種功能的半導(dǎo)體芯片的開(kāi)發(fā)。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式提供一種集成電路(IC)器件，該IC器件具有配置為在不利用封裝技術(shù)的情況下，實(shí)現(xiàn)構(gòu)造為執(zhí)行滿(mǎn)足對(duì)于智能技術(shù)(IT)的融合、智能化和網(wǎng)絡(luò)化的需求以及對(duì)于裝置的小型化的需求的各種功能的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式提供一種制造IC器件的方法，該IC器件配置為在不利用封裝技術(shù)的情況下，實(shí)現(xiàn)配置為執(zhí)行滿(mǎn)足對(duì)于IT的融合、智能化和網(wǎng)絡(luò)化的需求以及對(duì)于裝置的小型化的需求的各種功能的器件。

在一些示例實(shí)施方式中，集成電路(IC)器件可以包括配置為包括單個(gè)芯片的單獨(dú)的(individual)基板以及在基板上的多個(gè)存儲(chǔ)單元。所述多個(gè)存儲(chǔ)單元可以在基板上彼此間隔開(kāi)。所述多個(gè)存儲(chǔ)單元可以具有不同結(jié)構(gòu)。

在一些示例實(shí)施方式中，集成電路(IC)器件可以包括在基板的第一區(qū)域上的第一存儲(chǔ)器件、在基板的第二區(qū)域上的第二存儲(chǔ)器件以及在第三區(qū)域上的界面區(qū)域。第一存儲(chǔ)器件可以包括包含與第一存儲(chǔ)單元類(lèi)型相關(guān)的第一存儲(chǔ)單元的第一存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域。第二區(qū)域可以與第一區(qū)域間隔開(kāi)。第二存儲(chǔ)器件可以包括第二存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域。第二存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域可以包括與第二存儲(chǔ)單元類(lèi)型相關(guān)的第二存儲(chǔ)單元。第二存儲(chǔ)單元類(lèi)型可以不同于第一存儲(chǔ)單元類(lèi)型。第三區(qū)域可以與第一區(qū)域和第二區(qū)域間隔開(kāi)。界面區(qū)域可以包括配置為將第一存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域與第二存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域電聯(lián)接的多條導(dǎo)電線(xiàn)。

在一些示例實(shí)施方式中，一種制造集成電路(IC)器件的方法可以包括：在基板的第一區(qū)域中形成多條第一字線(xiàn)；在基板的與第一區(qū)域分開(kāi)的第二區(qū)域中形成多條第二字線(xiàn)；在第一區(qū)域中的所述多條第一字線(xiàn)上形成多個(gè)電容器；在第二區(qū)域中的所述多條第二字線(xiàn)上形成多條源極線(xiàn)；形成覆蓋第一區(qū)域中的所述多個(gè)電容器和第二區(qū)域中的所述多條源極線(xiàn)的絕緣層；以及在第二區(qū)域中的與基板的上表面間隔開(kāi)第一垂直距離的位置處形成可變電阻結(jié)構(gòu)。

在一些示例實(shí)施方式中，一種集成電路(IC)器件可以包括在基板的第一區(qū)域上的第一存儲(chǔ)器件以及在基板的第二區(qū)域上的第二存儲(chǔ)器件。第一存儲(chǔ)器件可以包括第一多層布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。基板的第二區(qū)域可以通過(guò)在基板處的隔離層與第一區(qū)域隔離。第二存儲(chǔ)器件可以包括第二多層布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。第一多層布線(xiàn)結(jié)構(gòu)的至少一層可以與第二多層布線(xiàn)結(jié)構(gòu)的至少一層共面。

附圖說(shuō)明

通過(guò)結(jié)合附圖的以下詳細(xì)說(shuō)明，發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式將被更清楚地理解，在附圖中：

圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的集成電路(IC)器件的示意性平面圖；