[發明專利]集成電路器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201711234913.X
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108133936B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 金成禹;李宰圭;徐基皙;洪亨善;黃有商;高寬協
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00;H10B61/00;G11C11/406;G11C11/408
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種集成電路器件，包括：

單獨的基板，配置為包括單個芯片；以及

在所述基板上的多個存儲單元，所述多個存儲單元在所述基板上彼此間隔開，所述多個存儲單元具有不同的結構，

其中所述多個存儲單元包括第一存儲單元和第二存儲單元，

其中第一布線結構和第二布線結構分別設置在所述第一存儲單元和所述第二存儲單元上并連接到所述第一存儲單元和所述第二存儲單元；

其中所述基板包括：

彼此間隔開的至少一個第一有源區和至少一個第二有源區，以及

在所述至少一個第一有源區和所述至少一個第二有源區之間的隔離層，

其中所述第一存儲單元在所述至少一個第一有源區上，

其中所述第二存儲單元在所述至少一個第二有源區上，

其中所述第一存儲單元包括電容器和第一晶體管，所述第二存儲單元包括可變電阻結構和第二晶體管，

其中所述第一晶體管包括具有第一摻雜濃度的第一源極/漏極區，所述第二晶體管包括具有第二摻雜濃度的第二源極/漏極區，所述第二摻雜濃度大于所述第一摻雜濃度，以及

其中所述可變電阻結構具有平坦結構，

其中所述可變電阻結構形成在與所述第一布線結構中包括的處于不同水平的多條導電線當中的最下面的導電線相同的水平上。

2.如權利要求1所述的集成電路器件，其中所述多個存儲單元包括動態隨機存取存儲器的存儲單元和磁性隨機存取存儲器的存儲單元。

3.如權利要求1所述的集成電路器件，其中，

所述電容器與所述基板間隔開第一距離，

所述可變電阻結構與所述基板間隔開第二距離，以及

所述第二距離與所述第一距離不同。

4.如權利要求3所述的集成電路器件，其中所述第一距離小于所述第二距離。

5.如權利要求1所述的集成電路器件，其中，

所述電容器具有最上表面，所述最上表面與所述基板間隔開第一距離，所述可變電阻結構與所述基板間隔開第二距離，以及

所述第二距離大于所述第一距離。

6.如權利要求1所述的集成電路器件，其中，

所述電容器具有最上表面，所述最上表面與所述基板間隔開第一距離，所述可變電阻結構與所述基板間隔開第二距離，以及

所述第二距離小于所述第一距離。