[發明專利]去除掩模版上顆粒的裝置和方法在審
| 申請號: | 201711234834.9 | 申請日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN107942616A | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發明(設計)人: | 何洪波;戴韞青;王劍;趙彬 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/82 | 分類號: | G03F1/82 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 去除 模版 顆粒 裝置 方法 | ||
1.一種去除掩模版上顆粒的裝置,其特征在于,包括:一透明的玻璃箱體,位于該玻璃箱體內的一自動開盒器,該自動開盒器的上端具有與其成一體的掩模版裝載架,且掩模版裝載架固定連接在玻璃箱體的上端,位于該玻璃箱體一側且與其密封連接的手套,位于玻璃箱體一側端的進氣口,位于與進氣口相對的玻璃箱體另一側端的出氣口。
2.如權利要求1所述的裝置,其特征在于:還包括一照明燈,位于所述去除掩模版上顆粒的裝置外面,在進行去除掩模版上的顆粒物時,提供照明。
3.如權利要求1所述的裝置,其特征在于:所述玻璃箱體為一正立方體。
4.如權利要求1所述的裝置,其特征在于:所述玻璃箱體為一長立方體。
5.如權利要求1所述的裝置,其特征在于:所述進氣口位于玻璃箱體左側下端靠近最外側的位置。
6.如權利要求1所述的裝置,其特征在于:所述出氣口位于玻璃箱體右側上端靠近最內側的位置。
7.如權利要求1所述的裝置,其特征在于:位于所述掩模版裝載架的上端設有玻璃門。
8.一種采用權利要求1-7任一所述裝置去除掩模版上顆粒的方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1、在透明的玻璃箱體內充滿高純氮氣;
步驟2、將掩模版放在掩模版裝載架上,采用自動開盒器打開掩模版標準盒;
步驟3、打開照明燈,通過玻璃箱體觀察掩模版上存在顆粒缺陷的位置;
步驟4、通過與玻璃箱體密封連接的手套,用無塵棉簽手動去除顆粒物。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司,未經上海華力微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711234834.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:沖鋒衣(7)
- 下一篇:控制壓印材料擴散的方法
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





