[發明專利]一種芯片平坦化工藝

在審

• 申請號: 201711232734.2
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN108039313A
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發明（設計）人: 張少華;李善斌;劉紹侃;蔣燕港
• 申請（專利權）人: 深圳華遠微電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 廣東深宏盾律師事務所 44364
• 代理人: 徐文濤;李立秋

本發明涉及半導體芯片的制作工藝，一種芯片平坦化工藝，包括如下步驟：步驟1.清洗：完成晶體基片的清洗；步驟2.鍍金屬膜：在晶體基片表面鍍金屬膜，并完成金屬膜的沉積；步驟3.光刻：在金屬膜表面完成光刻膠的涂布、曝光、顯影，并且確保顯影后光刻膠剖面結構為凹槽；步驟4.干刻刻蝕鋁膜：刻掉未被光刻膠保護的金屬膜，并且保留光刻膠不要剝離；步驟5.沉積二氧化硅：控制二氧化硅沉積厚度，使二氧化硅與金屬膜等厚度；步驟6.剝離多余二氧化硅：浸泡酒精，剝離掉光刻膠，剝離掉多余二氧化硅；步驟7.再次沉積二氧化硅完成平坦化：再次沉積一層二氧化硅，完成芯片的平坦化。

技術領域

本發明涉及半導體芯片的制作工藝，特別是一種芯片表面平坦化的工藝。

背景技術

隨著科技的突飛猛進的發展，半導體芯片的小型化、集成化成為不可回避的問題。

傳統的半導體芯片的平坦化工藝主要是反刻平坦化、玻璃回流法、旋涂玻璃法與化學機械平坦化。這幾種傳統的平坦化工藝增大了芯片損傷的風險。

平坦化工藝是由于半導體芯片的工藝過程中出現表面凹凸不平，而采取的物理、化學方法，從而完成半導體表面的平坦。本發明立足于現有平坦化工藝，減少了工藝步驟以及對芯品的損傷。

傳統的平坦化工藝，在工藝流程上引入了機械力、高溫等，增大了微小的芯片損傷的風險。本發明立足于現有平坦化工藝，從現有常規的半導體工藝汲取知識，完成了無機械力、低溫、低技術壁壘的“剝離法”平坦化工藝，降低了操作的難度及芯片損傷。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供一種芯片平坦化工藝，本工藝可將芯片平坦化的同時降低操作難度，避免損傷芯片。

為實現上述目的，本發明采用的技術方案是：

一種芯片平坦化工藝，包括如下步驟：

步驟1.清洗：完成晶體基片的清洗；

步驟2.鍍金屬膜：在晶體基片表面鍍金屬膜，并完成金屬膜的沉積；

步驟3.光刻：在金屬膜表面完成光刻膠的涂布、曝光、顯影，并且確保顯影后光刻膠剖面結構為凹槽；

步驟4.干刻刻蝕鋁膜：刻掉未被光刻膠保護的金屬膜，并且保留光刻膠不要剝離；

步驟5.沉積二氧化硅：控制二氧化硅沉積厚度，使二氧化硅與金屬膜等厚度；

步驟6.剝離多余二氧化硅：浸泡酒精，剝離掉光刻膠，剝離掉多余二氧化硅；

步驟7.再次沉積二氧化硅完成平坦化：再次沉積一層二氧化硅，完成芯片的平坦化。

作為優選的，所述金屬膜為鋁膜。

作為優選的，所述凹槽為倒梯形。

作為優選的，在步驟5中的未被光刻膠保護的金屬膜采用干法刻蝕刻掉。

使用本發明的有益效果是：

平坦化工藝作為半導體芯片的不可或缺的一步，占有舉足輕重的地位。本發明利用剝離法剝離多余的二氧化硅完成平坦化工藝，減少了器件的損傷，簡化了工藝流程，其具有以下主要優點：

1.一種新型的工藝方法完成產品的平坦化。

2.減少了工藝過程中器件的損傷，降低了工藝難度。

附圖說明

圖1為本發明一種芯片平坦化工藝的工藝流程圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明進行詳細的描述。

結合圖1所示，本實施例提供一種芯片平坦化工藝，包括如下步驟：