[發明專利]一種芯片平坦化工藝在審
| 申請號： | 201711232734.2 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN108039313A | 公開（公告）日： | 2018-05-15 |
| 發明（設計）人： | 張少華;李善斌;劉紹侃;蔣燕港 | 申請（專利權）人： | 深圳華遠微電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 廣東深宏盾律師事務所 44364 | 代理人： | 徐文濤;李立秋 |
| 地址： | 518125 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 平坦 化工 | ||
【權利要求書】：
1.一種芯片平坦化工藝，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1.清洗：完成晶體基片的清洗；
步驟2.鍍金屬膜：在晶體基片表面鍍金屬膜，并完成金屬膜的沉積；
步驟3.光刻：在金屬膜表面完成光刻膠的涂布、曝光、顯影，并且確保顯影后光刻膠剖面結構為凹槽；
步驟4.干刻刻蝕鋁膜：刻掉未被光刻膠保護的金屬膜，并且保留光刻膠不要剝離；
步驟5.沉積二氧化硅：控制二氧化硅沉積厚度，使二氧化硅與金屬膜等厚度；
步驟6.剝離多余二氧化硅：浸泡酒精，剝離掉光刻膠，剝離掉多余二氧化硅；
步驟7.再次沉積二氧化硅完成平坦化：再次沉積一層二氧化硅，完成芯片的平坦化。
2.根據權利要求1所述的芯片平坦化工藝，其特征在于：所述金屬膜為鋁膜。
3.根據權利要求1所述的芯片平坦化工藝，其特征在于：所述凹槽為倒梯形。
4.根據權利要求1所述的芯片平坦化工藝，其特征在于：在步驟5中的未被光刻膠保護的金屬膜采用干法刻蝕刻掉。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳華遠微電科技有限公司，未經深圳華遠微電科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711232734.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
