[發(fā)明專利]硬掩模用組合物

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711230827.1
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN108227385A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設計）人: 梁敦植;梁振錫;崔漢永
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;鐘海勝

本發(fā)明涉及一種硬掩模用組合物，硬掩模用組合物包含碳原子數(shù)6～20的芳香族化合物、化學式1所表示的連接化合物的聚合物、和溶劑?；瘜W式1中，R₁和R₂各自獨立地為碳原子數(shù)1～3的烷基、或碳原子數(shù)6～10的芳基，X為碳原子數(shù)2～10的脂肪族亞烷基、或者至少一個亞甲基被氧原子取代的碳原子數(shù)2～10的脂肪族亞烷基，a和b各自為0～2的整數(shù)，a與b之和為2。通過使用硬掩模用組合物，能夠形成平坦性、耐熱性、耐蝕刻性同時提高的硬掩模。[化學式1]

技術領域

本發(fā)明涉及硬掩模用組合物。更詳細而言，本發(fā)明涉及包含芳香族縮合物或化合物的硬掩模用組合物。

背景技術

例如，在半導體制造、微電子等領域中，電路、配線、絕緣圖案之類的結構物的集成度正在持續(xù)提高。因此，用于上述結構物的微細圖案化的光刻工序也被一同開發(fā)。

一般而言，在蝕刻對象膜上涂布光致抗蝕劑而形成光致抗蝕劑層，通過曝光及顯影工序而形成光致抗蝕劑圖案。接著，將上述光致抗蝕劑圖案用作蝕刻掩模，將上述蝕刻對象膜部分地去除，從而能夠形成預定的圖案。在進行對于上述蝕刻對象膜的圖像轉印后，上述光致抗蝕劑圖案可以通過灰化(ashing)和/或剝離(strip)工序而被去除。

為了抑制上述曝光工序中由光反射引起的分辨率降低，可以在上述蝕刻對象膜和上述光致抗蝕劑層之間形成防反射涂布(anti-refractive coating；ARC)層。該情況下，會追加對于上述ARC層的蝕刻，因此上述光致抗蝕劑層或光致抗蝕劑圖案的消耗量或蝕刻量可能會增加。此外，上述蝕刻對象膜的厚度增加或形成期望的圖案時所需的蝕刻量增加的情況下，可能無法確保所要求的上述光致抗蝕劑層或光致抗蝕劑圖案的充分的耐蝕刻性。

因此，為了確保用于形成期望的圖案的光致抗蝕劑的蝕刻耐受性和蝕刻選擇比，可以在上述蝕刻對象膜和上述光致抗蝕劑層之間追加抗蝕劑下部膜。

上述抗蝕劑下部膜需要具有例如對于高溫工序的充分的耐蝕刻性(或蝕刻耐受性)、耐熱性，此外，需要例如通過旋涂工序以均勻的厚度形成。

韓國公開專利第10-2010-0082844號公開了抗蝕劑下部膜形成組合物的一例。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

韓國公開專利第10-2010-0082844號

發(fā)明內(nèi)容

所要解決的課題

本發(fā)明的一個課題在于提供能夠形成具有優(yōu)異的蝕刻選擇性且具有均勻的輪廓的硬掩模的硬掩模用組合物。

解決課題的方法

1.一種硬掩模用組合物，其包含碳原子數(shù)6～20的芳香族化合物、下述化學式1所表示的連接化合物的聚合物、和溶劑，

[化學式1]

(化學式1中，R₁和R₂各自獨立地為碳原子數(shù)1～3的烷基、或碳原子數(shù)6～10的芳基，

X為碳原子數(shù)2～10的脂肪族亞烷基、或者至少一個亞甲基被氧原子取代的碳原子數(shù)2～10的脂肪族亞烷基，

a和b各自為0～2的整數(shù)，a與b之和為2)。

2.如1所述的硬掩模用組合物，上述芳香族化合物包含芘結構。

3.如2所述的硬掩模用組合物，上述芳香族化合物包含下述化學式2所表示的化合物，

[化學式2]