[發明專利]有機發光二極管面板及其制造方法有效
| 申請號: | 201711230577.1 | 申請日: | 2017-11-29 | 
| 公開(公告)號: | CN109216411B | 公開(公告)日: | 2021-03-23 | 
| 發明(設計)人: | 王俊富 | 申請(專利權)人: | 敦泰電子股份有限公司 | 
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 | 
| 代理公司: | 上海波拓知識產權代理有限公司 31264 | 代理人: | 楊波 | 
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 面板 及其 制造 方法 | ||
本發明提供一種有機發光二極管面板及其制造方法。此有機發光二極管面板包括至少一像素,此像素包括一陽極層、一絕緣層、一發光材料層以及一參考電壓層。陽極層配置于一透明基板上。絕緣層配置于陽極層上,具有一第一凹坑以及一第二凹坑,以分別暴露陽極層以及陰極層。第一凹坑內包括一空穴注入層以及一空穴傳輸層。空穴注入層配置于陽極層上。空穴傳輸層配置于空穴注入層上。第二凹坑內包括一陰極層、一電子注入層以及一電子傳輸層。陰極層配置于第二凹坑的底部上。電子注入層配置于陰極層上。電子傳輸層配置于該電子注入層上。參考電壓層配置于第一凹坑與第二凹坑之間,且配置于發光材料層之下。
技術領域
本發明是關于一種有機發光二極管面板及其制造方法,特別是,本發明是關于一種平面式(In-Plane)有機發光二極管面板及其制造方法。
背景技術
一般而言,有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)組件,其內部所蒸鍍的有機材料層是采用垂直堆棧的結構。如圖1所示,為現有技術的有機發光二極管組件的結構圖。此有機發光二極管組件包括一玻璃基底100、一陽極層101、空穴注入層102、一空穴傳輸層103、一有機發光材料層104、一電子傳輸層105與一電子注入層106以及一陰極層107。圖1上還標注了這些層的厚度。
此現有技術中,存在了下列缺點:
(1)因為所有的有機材料厚度相當薄,約陽極與陰極之間容易短路,造成有機發光二極管顯示器有點缺陷、異常大電流及生產良率降低等問題。
(2)若做成底部發光(Bottom Emission)結構,受限于薄膜晶體管(Thin FilmTransistor,TFT)的玻璃基板的開口率低,有亮度不足問題。
(3)若做成頂部發光(Top Emission)必須找到陰極的材料要有高透明度及高導電度的限制。又,陰極材料一般是金屬,若做的太薄,造成阻抗過高,若做的過厚,造成發光效率不高。
圖2為現有技術的白光有機發光二極管組件的結構圖。請參考圖2,標號201是白光有機發光二極管組件的等效電路圖。在現有技術中,白光有機發光二極管組件是利用紅色、綠色、藍色三個顏色的有機發光二極管組件垂直堆棧在一起。由于三個有機發光二極管201是串聯,因此,在應用時,所須的外加電壓也必須跟著提高數倍。
另外,現今的有機發光二極管材料的發光效率取決于流經發光材料層的電流大小,但是,往往不同顏色的發光材料層的材料最佳的發光效率所需的電流大小也不同,采用串聯結構(垂直堆棧)流經每層的電流大小是相同的,很難取得一個電流值是適用于所有顏色的最佳發光效率。故容易導致白光色偏。再者,在制造傳統串聯式有機發光二極管時,必須將所有有機材料一層一層的蒸鍍上去,如此,制造成本將隨堆棧層數增加而跟著提高。
發明內容
本發明的一目的在于提供一種有機發光二極管面板及其制造方法,用以改變現有有機發光二極管的架構,達到發光效率高、提升生產良率,且減低電路復雜度等。
有鑒于此,本發明提供一種有機發光二極管面板,此有機發光二極管面板包括至少一像素,其中,此像素包括一陽極層、一第一絕緣層、一陰極層、一第二絕緣層、一第一凹坑、一第二凹坑、一參考電壓層、一空穴注入層、一空穴傳輸層、一電子注入層、一電子傳輸層以及一發光材料層。陽極層配置于一透明基板上。第一絕緣層配置于陽極層上。陰極層配置該第一絕緣層上。第二絕緣層配置于陰極層上。第一凹坑貫穿第一絕緣層及第二絕緣層,以暴露該陽極層。第二凹坑貫穿第二絕緣層,以暴露該陰極層。參考電壓層配置在第一凹坑與第二凹坑之間。在一實施中,第三絕緣層配置于第二絕緣層上,并覆蓋參考電壓層。
空穴注入層配置于第一凹坑內,且配置于陽極層上。空穴傳輸層配置于第一凹坑內,且配置于空穴注入層上。電子注入層配置于第二凹坑內,且配置于陰極層上。電子傳輸層配置于第二凹坑內,且配置于電子注入層上。發光材料層配置于空穴傳輸層、電子傳輸層和第二絕緣層上,其中,陰極層、陽極層以及參考電壓層構成三端點有機發光二極管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





