[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管面板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711230577.1
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN109216411B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王俊富
• 申請（專利權(quán)）人: 敦泰電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

1.一種有機(jī)發(fā)光二極管面板，包括：

至少一像素；

其特征在于，該像素包括：

一陽極層，配置于一透明基板上；

一第一絕緣層(insulator)，配置于該陽極層上；

一陰極層，配置于該第一絕緣層上；

一第二絕緣層，配置于該陰極層上；

一第一凹坑，貫穿該第一絕緣層及該第二絕緣層，以暴露該陽極層；

一第二凹坑，貫穿該第二絕緣層，以暴露該陰極層；

一參考電壓層，配置在該第一凹坑與該第二凹坑之間；

一空穴注入層，配置于該第一凹坑內(nèi)，且配置于該陽極層上；

一空穴傳輸層，配置于該第一凹坑內(nèi)，且配置于該空穴注入層上；

一電子注入層，配置于該第二凹坑內(nèi)，且配置于該陰極層上；

一電子傳輸層，配置于該第二凹坑內(nèi)，且配置于該電子注入層上；以及

一發(fā)光材料層，配置于該電子注入層、該第二絕緣層、該空穴傳輸層以及該電子傳輸層上，

其中，該陰極層、該陽極層以及該參考電壓層構(gòu)成三端點(diǎn)有機(jī)發(fā)光二極管。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管面板，其特征在于，該參考電壓層的材料為一金屬導(dǎo)體。

3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管面板，其特征在于，該像素更包括：

一薄膜晶體管，包括一閘極、一第一源漏極以及一第二源漏極，其中，該薄膜晶體管的閘極耦接一掃描線，該薄膜晶體管的第一源漏極耦接一數(shù)據(jù)線，該薄膜晶體管的第二源漏極耦接該參考電壓層；以及

一電容，包括一第一端以及一第二端，其中，該電容的第一端耦接該薄膜晶體管的第二源漏極，該電容的第二端耦接一共接電壓。

4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管面板，其特征在于，該參考電壓層的電壓控制透過該發(fā)光材料層由該陽極層流向該陰極層的一電流的大小與該電流流過該發(fā)光材料層的電流路徑。

5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管面板，其特征在于，該發(fā)光材料層覆蓋該第一凹坑及該第二凹坑。

6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管面板，其特征在于，該發(fā)光材料層是混和至少兩種不同色的有機(jī)發(fā)光材料。

7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管面板，其特征在于，該像素更包括：

一低阻抗導(dǎo)體層，配置于該發(fā)光材料層上。

8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管面板，其特征在于，該發(fā)光材料層更包括：

施體(Donor)雜質(zhì)，藉由摻雜制程配置在發(fā)光材料層，增加該發(fā)光材料層上層的導(dǎo)電性。

9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管面板，其特征在于，該發(fā)光材料層更包括：

受體(Acceptor)雜質(zhì)，藉由摻雜制程配置在發(fā)光材料層，增加該發(fā)光材料層上層的導(dǎo)電性。

10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管面板，其特征在于，該參考電壓層和該陰極層位于同一層，且被第二絕緣層覆蓋。

11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管面板，其特征在于，該參考電壓層形成于該第二絕緣層上，且更包括一第三絕緣層位于該參考電壓層和發(fā)光材料層之間。

12.一種有機(jī)發(fā)光二極管面板的制造方法，其特征在于，包括：

在一透明基板上，依序形成一陽極層、一第一絕緣層、一陰極層、一第二絕緣層、一參考電壓層；

蝕刻該第一絕緣層、該第二絕緣層，以產(chǎn)生一第一凹坑以及一第二凹坑，分別暴露該陽極層和該陰極層，其中，該參考電壓層配置在該第一凹坑以及該第二凹坑之間；

在該第一凹坑內(nèi)的該陽極層上蒸鍍一空穴注入層；

在該空穴注入層上蒸鍍一空穴傳輸層；

在該陰極層上蒸鍍一電子注入層；

在該電子注入層上蒸鍍一電子傳輸層；以及

在該電子注入層以及該電子傳輸層上方蒸鍍一發(fā)光材料層。