[發(fā)明專利]一種高功率密度復(fù)雜組合體系微波組件的裝配方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711228782.4
• 申請(qǐng)日: 2017-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108091582B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王帥;陳思;高源;范萍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海無(wú)線電設(shè)備研究所
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 周榮芳

本發(fā)明公開(kāi)了一種高功率密度復(fù)雜組合體系微波組件的裝配方法，其包含以下步驟：步驟1：將大功率芯片通過(guò)納米銀漿燒結(jié)在載體上以形成載體模塊，燒結(jié)溫度為T₁；步驟2：將基板與電連接器焊接在盒體上，焊接溫度為T₂；步驟3：將表面貼裝器件焊接在基板上，焊接溫度為T₃；步驟4：將載體模塊中的載體通過(guò)納米銀漿燒結(jié)在盒體上，燒結(jié)溫度為T₄；步驟5：將其余芯片通過(guò)導(dǎo)電膠粘結(jié)在基板上，固化溫度為T₅。本發(fā)明所提供的裝配方法可以有效確保所有溫度的燒焊面及焊點(diǎn)不存在重熔風(fēng)險(xiǎn)；大功率芯片與載體、載體模塊與盒體的裝配均采用納米銀漿燒結(jié)，能夠顯著改善功率芯片的散熱問(wèn)題；使用納米銀漿作為互連材料，其可裝配性及操作性均比釬焊焊料優(yōu)越。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微波組件的封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高功率密度復(fù)雜組合體系微波組件的裝配方法。

背景技術(shù)

微波混合集成電路有兩種基本組裝方法：“芯片與引線”，即用環(huán)氧或軟釬焊把未封裝的半導(dǎo)體器件機(jī)械粘接/焊接到基板的金屬化焊盤上并通過(guò)引線鍵合實(shí)現(xiàn)電連接；“表面貼裝”，即將封裝好的器件、電阻、電容等軟釬焊到基板上，同時(shí)實(shí)現(xiàn)電與機(jī)械連接。這兩種方法常常在一塊基板上同時(shí)使用。

上述兩種裝配方法同時(shí)使用時(shí)，涉及到多溫度梯度的燒焊裝配。在封裝過(guò)程中，不允許出現(xiàn)前一級(jí)燒焊的焊料在后一級(jí)燒焊時(shí)發(fā)生再次融化的現(xiàn)象。因此需要進(jìn)行帶有溫度梯度的燒焊裝配。為了保證可靠性，相鄰溫度梯度的燒結(jié)溫度需要相鄰30℃左右。微波混合集成電路需要分別裝配燒焊的對(duì)象有大功率芯片、載體、基板、SMD(Surface MountedDevices，表面貼裝器件)、盒體等。

在典型裝配組合中，對(duì)發(fā)熱量大的大功率芯片的燒焊采用熔點(diǎn)為280℃的金錫焊料，逐漸不能滿足散熱要求(熱導(dǎo)率＜80W/mK)。同時(shí)載體與盒體的焊接由于溫度梯度的限制，只能選擇140-160℃的焊料，而該區(qū)間內(nèi)的焊料潤(rùn)濕性較差，焊接質(zhì)量不高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種高功率密度復(fù)雜組合體系微波組件的裝配方法，以提高對(duì)大功率芯片的散熱性能及載體與盒體的焊接性。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種高功率密度復(fù)雜組合體系微波組件的裝配方法，其包含以下步驟：

步驟1：將大功率芯片通過(guò)納米銀漿燒結(jié)在載體上以形成載體模塊，燒結(jié)溫度為T₁；

步驟2：將基板與電連接器焊接在盒體上，焊接溫度為T₂；

步驟3：將表面貼裝器件焊接在基板上，焊接溫度為T₃；

步驟4：將載體模塊中的載體通過(guò)納米銀漿燒結(jié)在盒體上，燒結(jié)溫度為T₄；

步驟5：將其余芯片通過(guò)導(dǎo)電膠粘結(jié)在基板上，固化溫度為T₅。

上述的高功率密度復(fù)雜組合體系微波組件的裝配方法，其中，所述溫度滿足以下條件：T₁＞T₂＞T₃＞T₄＞T₅。

上述的高功率密度復(fù)雜組合體系微波組件的裝配方法，其中，所述步驟5還包括以下步驟：在固化前，同時(shí)將其它粘結(jié)器件通過(guò)導(dǎo)電膠粘結(jié)在盒體上。

上述的高功率密度復(fù)雜組合體系微波組件的裝配方法，其中，其還包括步驟6：將蓋板通過(guò)激光封焊焊接在盒體上。

上述的高功率密度復(fù)雜組合體系微波組件的裝配方法，其中，步驟2中，所述焊接的材料為SnAgCu。

上述的高功率密度復(fù)雜組合體系微波組件的裝配方法，其中，步驟2中，所述焊接的方法為真空焊接。