[發明專利]一種高功率密度復雜組合體系微波組件的裝配方法有效
| 申請號： | 201711228782.4 | 申請日： | 2017-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN108091582B | 公開（公告）日： | 2019-11-08 |
| 發明（設計）人： | 王帥;陳思;高源;范萍 | 申請（專利權）人： | 上海無線電設備研究所 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 周榮芳 |
| 地址： | 200090 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 燒結 納米銀漿 焊接 裝配 載體模塊 盒體 基板 大功率芯片 復雜組合 微波組件 高功率 表面貼裝器件 焊點 電連接器 功率芯片 互連材料 可裝配性 釬焊焊料 散熱問題 導電膠 燒焊 粘結 重熔 固化 芯片 | ||
1.一種高功率密度復雜組合體系微波組件的裝配方法，其特征在于，包含以下步驟：
步驟1：將大功率芯片通過納米銀漿燒結在載體上以形成載體模塊，燒結溫度為T1；
步驟2：將基板與電連接器焊接在盒體上，焊接溫度為T2；
步驟3：將表面貼裝器件焊接在基板上，焊接溫度為T3；
步驟4：將載體模塊中的載體通過納米銀漿燒結在盒體上，燒結溫度為T4；
步驟5：將其余芯片通過導電膠粘結在基板上，固化溫度為T5；
所述溫度滿足以下條件：T1＞T2＞T3＞T4＞T5。
2.如權利要求1所述的高功率密度復雜組合體系微波組件的裝配方法，其特征在于，所述步驟5還包括以下步驟：在固化前，同時將其它粘結器件通過導電膠粘結在盒體上。
3.如權利要求1所述的高功率密度復雜組合體系微波組件的裝配方法，其特征在于，其還包括步驟6：將蓋板通過激光封焊焊接在盒體上。
4.如權利要求1所述的高功率密度復雜組合體系微波組件的裝配方法，其特征在于，步驟2中，所述焊接的材料為SnAgCu。
5.如權利要求1所述的高功率密度復雜組合體系微波組件的裝配方法，其特征在于，步驟2中，所述焊接的方法為真空焊接。
6.如權利要求1所述的高功率密度復雜組合體系微波組件的裝配方法，其特征在于，步驟3中，所述焊接的材料為SnPb。
7.如權利要求1所述的高功率密度復雜組合體系微波組件的裝配方法，其特征在于，步驟3中，所述焊接的方法為回流焊接。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
