[發明專利]制造半導體結構的方法

在審

• 申請號: 201711226117.1
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN109103092A
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 黃建樺;李忠儒;翁明暉;魏慈慧
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/3213
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本揭露內容描述了使用光阻劑交聯制程和光阻劑去交聯制程制造半導體結構的方法。在制造制程期間，使用交聯底層，并且在去除底層之前，光阻劑去交聯制程去交聯交聯底層。光阻劑去交聯制程和交聯底層的使用的合并提供了用以制造半導體結構的具有成本效益和低缺陷程度的解決方案。

技術領域

本發明實施例是有關一種制造半導體結構的方法。

背景技術

半導體技術不斷進步到更小的特征尺寸和更高的元件密度。隨著特征尺寸的縮小，降低了多個制造制程中的容許誤差。一個例子是缺陷的容許誤差。隨著元件密度的增加，制造過程中引入的缺陷更可能導致故障(例如短路、斷路)。因為在光微影制程中使用光阻劑和在蝕刻制程中產生副產物，多個制造制程(例如光微影和蝕刻)可能會引入缺陷。作為結果，降低缺陷程度對于提高半導體元件的可制造性至關重要。

發明內容

一種制造半導體結構的方法，包括形成第一開口于設置在基板上的介電層中。沉積底層(BL)于第一開口上。執行第一處理于底層上。形成圖案于經處理的底層上。蝕刻到介電層和經處理的底層以形成第二開口。執行第二處理于經處理的底層上。去除經第二處理所處理的底層。

為使本揭露內容的上述及其他目的、特征和優點更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合所附附圖詳細說明如下。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述中可以更好地理解本揭露的各個方面。應當注意，依據業界的標準做法，各特征未按比例繪制。實際上，多個特征的尺寸可任意增大或縮小，以便使論述明晰。

圖1A到圖1N是根據一些實施例的使用光阻劑去交聯制程制造實例半導體結構的橫截面示意圖；

圖2是根據一些實施例的繪示結合光阻劑去交聯制程制造半導體結構的實例方法的流程圖；

圖3A到圖3G是根據一些實施例的使用光阻劑去交聯制程制造實例半導體結構的橫截面示意圖；

圖4是根據一些實施例的繪示結合光阻劑去交聯制程制造半導體結構的實例方法的流程圖。

具體實施方式

以下揭露提供許多不同實施例或實例，以用于實現所提供標的物的不同的特征。下文描述構件和排列等的特定實例以簡化本揭露。當然，這些僅僅為實例，并不旨在限制本揭露。舉例而言，在隨后描述中的在第二特征上方或在第二特征上形成第一特征可包括形成直接接觸的第一特征和第二特征的實施例，還可以包括在第一特征及第二特征之間形成額外特征，從而使第一特征和第二特征不直接接觸的實施例。另外，本揭露在各實例中可重復元件符號及/或字母。此重復是出于簡化及清楚的目的，且本身不指示所論述各實施例及/或構造之間的關系。

另外，空間相對術語，諸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”、“之上(over)”及類似者，在此用于簡化描述附圖所示的一個元件或特征與另一元件(或多個元件)或特征(或多個特征)的關系。除附圖中描繪的方向外，空間相對術語旨在包含于使用或操作中的裝置的不同方向。設備可為不同的方向(旋轉90度或在其他的方向)，并且在此使用的空間相關描述詞也可相應地被解釋。

在本揭露中所描述的多個先進微影制程、方法、以及多種材料可在許多應用中使用，包括多個鰭式場效晶體管(FinFETs)。前述揭露內容非常適合用于此，例如可以圖案化多個鰭片以在特征之間產生相對較緊密的間隔。此外，在形成多個鰭式場效晶體管的多個鰭片中所使用的多個間隔物，可以根據以下揭露進行處里。