[發明專利]制造半導體結構的方法在審
| 申請號： | 201711226117.1 | 申請日： | 2017-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN109103092A | 公開（公告）日： | 2018-12-28 |
| 發明（設計）人： | 黃建樺;李忠儒;翁明暉;魏慈慧 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3105 | 分類號： | H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 交聯 制程 光阻劑 半導體結構 制造 成本效益 內容描述 低缺陷 去除 合并 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造半導體結構的方法，其特征在于，包括：
形成一第一開口于設置在一基板上的一介電層中；
沉積一底層于該第一開口上；
執行一第一處理于該底層上；
形成一圖案于經處理的該底層上；
蝕刻到該介電層和經處理的該底層以形成一第二開口；
執行一第二處理于經處理的該底層上；以及
去除經第二處理所處理的該底層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
