[發(fā)明專利]中介層的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711225182.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108231569B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-01-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鈴木克彥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社迪思科 |
| 主分類號(hào): | H01L21/304 | 分類號(hào): | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;喬婉 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 中介 制造 方法 | ||
提供中介層的制造方法,能夠提高使用了玻璃基板的中介層的耐熱性。一種中介層的制造方法,從材料基板制造出多個(gè)中介層,該材料基板具有玻璃基板和層疊體,其中,該玻璃基板被呈格子狀設(shè)定的多條分割預(yù)定線劃分成多個(gè)區(qū)域,該層疊體層疊在該玻璃基板的第1面或與該第1面相反的一側(cè)的第2面上,并且該層疊體包含絕緣層和配線層,該中介層的制造方法的特征在于,包含如下的工序:切削槽形成工序,使第1切削刀具沿著分割預(yù)定線切入層疊體的露出面,在層疊體中形成未到達(dá)玻璃基板的深度的切削槽;以及分割工序,使寬度比切削槽窄的第2切削刀具沿著切削槽切入玻璃基板,對(duì)玻璃基板進(jìn)行分割而制造出多個(gè)中介層。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及使用了玻璃基板的中介層的制造方法。
背景技術(shù)
為了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的更小型化和高集成化,實(shí)用化了在厚度方向上重疊半導(dǎo)體芯片而利用貫通電極(TSV:Through Silicon Via:硅通孔)進(jìn)行連接的三維安裝技術(shù)。但是,在該三維安裝技術(shù)中,由于在厚度方向上重疊多個(gè)半導(dǎo)體芯片,所以容易使散熱性降低,也無(wú)法使用尺寸不同的半導(dǎo)體芯片。此外,還存在制造成本容易隨著貫通于半導(dǎo)體芯片的貫通電極的形成而變高的問(wèn)題。
近年來(lái),還提出了借助使用硅晶片而形成的中介層(中繼用基板)來(lái)安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片的安裝技術(shù)(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。該安裝技術(shù)也被稱為2.5維安裝技術(shù)等,例如,具有存儲(chǔ)功能的半導(dǎo)體芯片和具有運(yùn)算功能的半導(dǎo)體芯片按照不重疊的方式與中介層連接。在2.5維安裝技術(shù)中,由于至少一部分半導(dǎo)體芯片不在厚度方向上重疊,所以容易解決上述的三維安裝技術(shù)的各種問(wèn)題。
另一方面,在使用了硅晶片的中介層中還存在高頻區(qū)域中的損失較大、價(jià)格較高的問(wèn)題。因此,提出了在中介層中使用有利于降低高頻區(qū)域中的損失并且價(jià)格低廉的玻璃基板的技術(shù)(例如,參照專利文獻(xiàn)2)。例如,在玻璃基板的至少一方的主面上形成包含絕緣層和配線層的層疊體,然后沿著預(yù)先設(shè)定的分割預(yù)定線對(duì)玻璃基板進(jìn)行分割而得到該中介層。
專利文獻(xiàn)1:日本特表2003-503855號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2015-198212號(hào)公報(bào)
通常,利用使旋轉(zhuǎn)的切削刀具沿著分割預(yù)定線切入的方法來(lái)進(jìn)行玻璃基板的分割。但是,通過(guò)該方法制造的中介層在耐熱性方面存在問(wèn)題。具體來(lái)說(shuō),例如,當(dāng)對(duì)該中介層進(jìn)行溫度循環(huán)試驗(yàn)(TCT:Temperature Cycling Test)時(shí),會(huì)在玻璃基板上產(chǎn)生裂紋,或是層疊體從玻璃基板剝離而使次品率變高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于該問(wèn)題點(diǎn)而完成的,其目的在于,提供中介層的制造方法,能夠提高使用了玻璃基板的中介層的耐熱性。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式,提供中介層的制造方法,從材料基板制造出多個(gè)中介層,該材料基板具有玻璃基板和層疊體,其中,該玻璃基板被呈格子狀設(shè)定的多條分割預(yù)定線劃分成多個(gè)區(qū)域,該層疊體層疊在該玻璃基板的第1面或與該第1面相反的一側(cè)的第2面上,并且該層疊體包含絕緣層和配線層,該中介層的制造方法的特征在于,包含如下的工序:切削槽形成工序,使第1切削刀具沿著該分割預(yù)定線切入該層疊體的露出面,在該層疊體中形成未到達(dá)該玻璃基板的深度的切削槽;以及分割工序,使寬度比該切削槽窄的第2切削刀具沿著該切削槽切入該玻璃基板,對(duì)該玻璃基板進(jìn)行分割而制造出多個(gè)中介層。
在本發(fā)明的一個(gè)方式中,優(yōu)選所述第2切削刀具所包含的磨粒的粒徑比所述第1切削刀具所包含的磨粒的粒徑小。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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