[發(fā)明專利]一種不同反應(yīng)腔室之間工藝結(jié)果的匹配方法和裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711223402.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107968042B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張繼宏;付金生 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 100176*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 不同 反應(yīng) 之間 工藝 結(jié)果 匹配 方法 裝置 | ||
本公開(kāi)提供了一種不同反應(yīng)腔室之間工藝結(jié)果的匹配方法和裝置,選取至少一個(gè)影響工藝結(jié)果的因素,獲取因素在不同反應(yīng)腔室工藝時(shí)所對(duì)應(yīng)的調(diào)節(jié)因子,調(diào)節(jié)因子使因素在其對(duì)應(yīng)的反應(yīng)腔室工藝時(shí)的真實(shí)值與輸入值的差值在預(yù)設(shè)精度范圍內(nèi),基于調(diào)節(jié)因子,設(shè)定因素在其對(duì)應(yīng)的反應(yīng)腔室工藝時(shí)的輸入值,以使因素在不同反應(yīng)腔室工藝時(shí)的真實(shí)值匹配,從而使不同反應(yīng)腔室的工藝結(jié)果匹配。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種不同反應(yīng)腔室之間工藝結(jié)果的匹配方法和裝置。
背景技術(shù)
在集簇式半導(dǎo)體設(shè)備中,一個(gè)機(jī)臺(tái)通常帶多個(gè)(2到6個(gè))反應(yīng)腔室。這些反應(yīng)腔室的硬件結(jié)構(gòu)相同,使用同一傳輸平臺(tái)進(jìn)行硅片傳輸,使用相同軟件進(jìn)行控制,可以運(yùn)行不同或相同工藝。
在生產(chǎn)過(guò)程中,為保證產(chǎn)品的質(zhì)量,需要不同腔室在運(yùn)行相同工藝情況下,生產(chǎn)出的產(chǎn)品具有相同的結(jié)果。不同腔室的硬件結(jié)構(gòu)及硬件安裝會(huì)存在細(xì)微的差別,這些因素結(jié)合起來(lái),就使不同腔室之間匹配調(diào)節(jié)變得比較復(fù)雜困難。
在實(shí)際裝機(jī)調(diào)整過(guò)程中,參見(jiàn)圖1所示,不同腔室的調(diào)節(jié)都是通過(guò)運(yùn)行相同的工藝,查看工藝結(jié)果,調(diào)整硬件結(jié)構(gòu)及硬件器件設(shè)置,通過(guò)多次工藝及測(cè)試,調(diào)整工藝結(jié)果,使腔室之間大致匹配。在這樣的調(diào)整過(guò)程中,會(huì)花費(fèi)較多的時(shí)間,需要使用較多的測(cè)試用生產(chǎn)片,并且測(cè)試片工藝結(jié)束后還要測(cè)量結(jié)果,然后調(diào)節(jié)修改硬件參數(shù),這樣花費(fèi)大量的時(shí)間及人力物力。
申請(qǐng)人在實(shí)現(xiàn)本公開(kāi)的過(guò)程中,發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)存在如下缺陷:
1、半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)精度要求非常高,調(diào)整不同腔室硬件結(jié)構(gòu),對(duì)硬件的要求非常高,并且因?yàn)橛布糠址浅6啵布M裝的誤差也會(huì)比較復(fù)雜,這樣差異性在所難免,因此通過(guò)調(diào)整硬件結(jié)構(gòu)的方法比較困難。
2、通過(guò)使用工藝測(cè)試片運(yùn)行工藝,調(diào)節(jié)工藝結(jié)果的方法,會(huì)花費(fèi)較多的時(shí)間及人力物力。而且在變換工藝時(shí),經(jīng)常會(huì)需要重新調(diào)試不同腔室的匹配。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面,提供了一種不同反應(yīng)腔室之間工藝結(jié)果的匹配方法,包括:選取至少一個(gè)影響工藝結(jié)果的因素;獲取所述因素在不同反應(yīng)腔室工藝時(shí)所對(duì)應(yīng)的調(diào)節(jié)因子,所述調(diào)節(jié)因子使所述因素在其對(duì)應(yīng)的反應(yīng)腔室工藝時(shí)的真實(shí)值與輸入值的差值在預(yù)設(shè)精度范圍內(nèi);基于所述調(diào)節(jié)因子,設(shè)定所述因素在其對(duì)應(yīng)的反應(yīng)腔室工藝時(shí)的輸入值,以使所述因素在不同反應(yīng)腔室工藝時(shí)的真實(shí)值匹配,從而使不同反應(yīng)腔室的工藝結(jié)果匹配。
在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中,所述因素包括射頻功率、工藝氣體流量和腔室溫度。
在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中,所述獲取所述因素在不同反應(yīng)腔室工藝時(shí)所對(duì)應(yīng)的調(diào)節(jié)因子包括:設(shè)置所述因素在其對(duì)應(yīng)的反應(yīng)腔室工藝時(shí)的輸入值,獲取所述因素在其對(duì)應(yīng)的反應(yīng)腔室工藝時(shí)的真實(shí)值;根據(jù)所述輸入值與真實(shí)值之間的差值,通過(guò)擬合的方式獲取所述調(diào)節(jié)因子。
在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中,所述擬合為線性擬合或曲線擬合。
在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中,所述基于所述調(diào)節(jié)因子,設(shè)定所述因素在其對(duì)應(yīng)的反應(yīng)腔室工藝時(shí)的輸入值,以使所述因素在不同反應(yīng)腔室工藝時(shí)的真實(shí)值匹配,從而使不同反應(yīng)腔室的工藝結(jié)果匹配包括:基于所述因素在不同反應(yīng)腔室工藝時(shí)所對(duì)應(yīng)的調(diào)節(jié)因子,設(shè)置所述因素在其對(duì)應(yīng)的反應(yīng)腔室工藝時(shí)的輸入值,不同反應(yīng)腔室基于所述因素在其對(duì)應(yīng)的反應(yīng)腔室工藝時(shí)的真實(shí)值運(yùn)行同一工藝;判斷所述因素在不同反應(yīng)腔室工藝時(shí)的真實(shí)值是否匹配;如果匹配,則保存所述調(diào)節(jié)因子,用于使不同反應(yīng)腔室的工藝結(jié)果匹配;如果不匹配,則返回執(zhí)行獲取所述因素在不同反應(yīng)腔室工藝時(shí)所對(duì)應(yīng)的調(diào)節(jié)因子的步驟,調(diào)整所述調(diào)節(jié)因子,直至不同反應(yīng)腔室的工藝結(jié)果匹配。
在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中,在所述獲取所述因素在不同反應(yīng)腔室工藝時(shí)所對(duì)應(yīng)的調(diào)節(jié)因子之前還包括:調(diào)整反應(yīng)腔室的硬件結(jié)構(gòu)和硬件配置參數(shù)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





