[發明專利]一種不同反應腔室之間工藝結果的匹配方法和裝置有效
| 申請號: | 201711223402.8 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN107968042B | 公開(公告)日: | 2020-07-17 |
| 發明(設計)人: | 張繼宏;付金生 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 100176*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 不同 反應 之間 工藝 結果 匹配 方法 裝置 | ||
1.一種不同反應腔室之間工藝結果的匹配方法,包括:
選取至少一個影響工藝結果的因素;
獲取所述因素在不同反應腔室工藝時所對應的調節因子,所述調節因子使所述因素在其對應的反應腔室工藝時的真實值與輸入值的差值在預設精度范圍內;
基于所述調節因子,設定所述因素在其對應的反應腔室工藝時的輸入值,以使所述因素在不同反應腔室工藝時的真實值匹配,從而使不同反應腔室的工藝結果匹配;
所述基于所述調節因子,設定所述因素在其對應的反應腔室工藝時的輸入值,以使所述因素在不同反應腔室工藝時的真實值匹配,從而使不同反應腔室的工藝結果匹配包括:
基于所述因素在不同反應腔室工藝時所對應的調節因子,設置所述因素在其對應的反應腔室工藝時的輸入值,不同反應腔室基于所述因素在其對應的反應腔室工藝時的真實值運行同一工藝;
判斷所述因素在不同反應腔室工藝時的真實值是否匹配;
如果匹配,則保存所述調節因子,用于使不同反應腔室的工藝結果匹配;
如果不匹配,則返回執行獲取所述因素在不同反應腔室工藝時所對應的調節因子的步驟,調整所述調節因子,直至不同反應腔室的工藝結果匹配。
2.如權利要求1所述的匹配方法,所述因素包括射頻功率、工藝氣體流量和腔室溫度。
3.如權利要求1所述的匹配方法,所述獲取所述因素在不同反應腔室工藝時所對應的調節因子包括:
設置所述因素在其對應的反應腔室工藝時的輸入值,獲取所述因素在其對應的反應腔室工藝時的真實值;
根據所述輸入值與真實值之間的差值,通過擬合的方式獲取所述調節因子。
4.如權利要求3所述的匹配方法,所述擬合為線性擬合或曲線擬合。
5.如權利要求1所述的匹配方法,在所述獲取所述因素在不同反應腔室工藝時所對應的調節因子之前還包括:調整反應腔室的硬件結構和硬件配置參數。
6.一種不同反應腔室之間工藝結果的匹配裝置,包括:
選取模塊,用于選取至少一個影響工藝結果的因素;
獲取模塊,用于獲取所述因素在不同反應腔室工藝時所對應的調節因子,所述調節因子使所述因素在其對應的反應腔室工藝時的真實值與輸入值的差值在預設精度范圍內;
匹配模塊,用于基于所述調節因子,設定所述因素在其對應的反應腔室工藝時的輸入值,以使所述因素在不同反應腔室工藝時的真實值匹配,從而使不同反應腔室的工藝結果匹配;
所述匹配模塊包括:
工藝運行子模塊,用于基于所述因素在不同反應腔室工藝時所對應的調節因子,設置所述因素在其對應的反應腔室工藝時的輸入值,不同反應腔室基于所述因素在其對應的反應腔室工藝時的真實值運行同一工藝;
判斷子模塊,用于判斷所述因素在不同反應腔室工藝時的真實值是否匹配,若是,則觸發保存子模塊,否則觸發循環執行子模塊;
保存子模塊,用于保存所述調節因子,用于使不同反應腔室的工藝結果匹配;
循環執行子模塊,用于觸發獲取模塊,調整所述調節因子,直至不同反應腔室工藝結果匹配。
7.如權利要求6所述的匹配裝置,所述因素包括射頻功率、工藝氣體流量和腔室溫度。
8.如權利要求6所述的匹配裝置,所述獲取模塊包括:
真實值獲取子模塊,用于設置所述因素在其對應的反應腔室工藝時的輸入值,獲取所述因素在其對應的反應腔室工藝時的真實值;
調節因子獲取子模塊,用于根據所述輸入值與真實值之間的差值,通過擬合的方式獲取所述調節因子。
9.如權利要求8所述的匹配裝置,所述擬合為線性擬合或曲線擬合。
10.如權利要求6所述的匹配裝置,還包括:調整模塊,用于調整反應腔室的硬件結構和硬件配置參數。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





