[發明專利]一種釹鐵硼磁體的制備方法有效
| 申請號: | 201711223146.2 | 申請日: | 2017-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN108010705B | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發明(設計)人: | 呂竹風;黃家熾 | 申請(專利權)人: | 寧德市星宇科技有限公司 |
| 主分類號: | H01F41/02 | 分類號: | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司: | 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 林志崢 |
| 地址: | 352100 福建省*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 釹鐵硼 磁體 制備 方法 | ||
1.一種釹鐵硼磁體的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:將商業釹鐵硼磁體沿取向力方向加工成8~12mm厚,得基礎釹鐵硼磁體,然后將基礎釹鐵硼磁體浸泡在體積濃度為3~5%的鹽酸溶液或體積濃度為3~5%的硝酸溶液中,然后在真空條件下對浸泡在鹽酸溶液或硝酸溶液中的釹鐵硼薄片進行超聲波處理5~10min,再于120~140℃環境中干燥20~120min;
步驟2:將擴散合金片附著在步驟1處理后的基礎釹鐵硼磁體的上下表面,然后放在熱壓爐中,對熱壓爐抽真空,待真空度達到1×10-2Pa以下,對熱壓爐升溫,當溫度達到700~800℃時,開始施加壓力20~30MPa,并保壓7~10h,然后泄壓至常壓,接著又重新熱壓爐抽真空,待真空度達到1×10-2Pa以下,繼續升溫至850~950℃,保溫1~2h;
步驟3:將步驟2擴散后的試樣在真空爐中于500~600℃條件下進行退火處理,再于400~450℃條件下進行退火處理,得目標產物;
其中所述擴散合金片為低熔點擴散合金R1-R2-TM,其中R1為Pr或Nd,R2為Dy或Tb,TM為Cu、Al、Zn或Fe中的任意一種。
2.根據權利要求1所述的釹鐵硼磁體的制備方法,其特征在于,步驟1中超聲波處理的功率為700~800W,溫度為40~50℃。
3.根據權利要求1所述的釹鐵硼磁體的制備方法,其特征在于,所述擴散合金片的厚度為0.1~0.25mm。
4.根據權利要求1所述的釹鐵硼磁體的制備方法,其特征在于,步驟3中在500~600℃條件下退火處理的時間為1~5h,在400~450℃條件下退火處理的時間為1~3h。
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