[發明專利]掩膜組件及其曝光方法

有效

• 申請號: 201711220104.3
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN109839799B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 郁侃;徐廣軍;范剛洪;王群
• 申請（專利權）人: 上海儀電顯示材料有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種掩膜組件，用于對待曝光層進行曝光以形成具有目標圖形的圖形化層，所述待曝光層為負性光阻層，其特征在于，包括：

第一掩膜板，包括圖形區以及包圍所述圖形區的外圍區，所述圖形區的第一掩膜板上具有第一圖形，所述外圍區的第一掩膜板上具有基準標記組，所述基準標記組包括多個等間距設置的基準標記，所述基準標記為長條形；

第二掩膜板，與所述第一掩膜板交疊設置，所述第二掩膜板包括圖形區以及包圍所述圖形區的外圍區，所述圖形區的第二掩膜板上具有第二圖形，用于與所述第一圖形相配合以形成至少部分所述目標圖形，所述外圍區的第二掩膜板上具有第一偏移標記組，所述第一偏移標記組包括多個第一偏移標記對，所述多個第一偏移標記對與所述多個基準標記一一對應，相鄰所述第一偏移標記對之間間隔小于所述相鄰所述基準標記之間間距，或者相鄰所述第一偏移標記對之間間隔大于相鄰所述基準標記之間間距，所述第一偏移標記對包括兩個間隔設置的第一偏移標記，所述第一偏移標記為長條形，所述第一偏移標記在所述第一掩膜板上的正投影與相對應基準標記平行，所述第一偏移標記組中至少一個第一偏移標記對的兩個第一偏移標記在所述第一掩膜板上的正投影對稱的位于相對應基準標記兩側。

2.如權利要求1所述的掩膜組件，其特征在于，相鄰所述第一偏移標記對之間間距小于相鄰所述基準標記之間間距。

3.如權利要求1或2所述的掩膜組件，其特征在于，相鄰所述第一偏移標記對之間間距與相鄰所述基準標記之間間距的差值在1μm到5μm范圍內。

4.如權利要求1所述的掩膜組件，其特征在于，所述基準標記組包括橫向基準標記組和縱向基準標記組，所述橫向基準標記組的基準標記沿第一方向排列，所述縱向基準標記組的基準標記沿第二方向排列，所述第一方向與所述第二方向相垂直；

所述第一偏移標記組包括第一橫向偏移標記組和第一縱向偏移標記組，所述第一橫向偏移標記組的第一偏移標記對沿所述第一方向排列，所述第一縱向偏移標記組的第一偏移標記對沿所述第二方向排列；

在所述第一掩膜板上，第一橫向偏移標記組中一個第一偏移標記對的兩個第一偏移標記的正投影對稱的位于橫向基準標記組中相對應基準標記兩側；

在所述第一掩膜板上，第一縱向偏移標記組中一個第一偏移標記對的兩個第一偏移標記的正投影對稱的位于縱向基準標記組中相對應基準標記兩側。

5.如權利要求1所述的掩膜組件，其特征在于，所述第一掩膜板的圖形區與所述第二掩膜板的圖形區均為正方形或長方形，所述第一掩膜板的外圍區和所述第二掩膜板的外圍區均為方環形；

所述基準標記組的數量為4個，分別位于所述第一掩膜板外圍區的拐角處；

所述第一偏移標記組的數量為4個，分別位于所述第二掩膜板的所述外圍區的拐角處。

6.如權利要求1所述的掩膜組件，其特征在于，所述第一偏移標記對中兩個第一偏移標記之間間隔與所述基準標記尺寸的比值大于1，小于或等于1.2。

7.如權利要求1所述的掩膜組件，其特征在于，所述基準標記組中所述多個基準標記的長度相等；第一偏移標記組中所有第一偏移標記對的第一偏移標記長度相等。

8.如權利要求7所述的掩膜組件，其特征在于，所述第一偏移標記的長度小于所述基準標記的長度。

9.如權利要求8所述的掩膜組件，其特征在于，所述第一掩膜板上，所述第一偏移標記正投影的一端與所述基準標記的一端齊平。