[發明專利]半導體裝置結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201711220067.6
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN109427648B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 蔡宗翰;王柏仁;吳春立;高境鴻
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L27/12
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;張福根

1.一種半導體裝置結構，包括：

一基板，該基板包括一第一半導體層、一第二半導體層及位于該第一半導體層及該第二半導體層之間的一絕緣層；

一阱區，位于該基板的該第一半導體層中；

一柵極堆疊，位于該基板之上；

多個源極及漏極結構，位于該基板的該第二半導體層之中，其中該些源極及漏極結構位于該柵極堆疊的兩側；

一第一隔離結構，位于該基板中，其中該第一隔離結構包括一絕緣材料且環繞該些源極及漏極結構；以及

一第二隔離結構，位于該第一隔離結構中，其中該第二隔離結構包括一金屬材料且環繞該些源極及漏極結構，且其中該第二隔離結構穿透該第一隔離結構、該阱區及該阱區與該第一半導體層之間的一界面。

2.如權利要求1所述的半導體裝置結構，其中該第一隔離結構穿透該第二半導體層及該絕緣層且延伸至該阱區中。

3.如權利要求1所述的半導體裝置結構，更包括:

一第一介電層，位于該基板之上，其中該第一介電層覆蓋該第一隔離結構、該些源極及漏極結構及該柵極堆疊；

一第一導電接觸點，位于該第一介電層中，其中該第一導電接觸點連接至該柵極堆疊；以及

多個第二導電接觸點，位于該第一介電層中，其中該些第二導電接觸點連接至該些源極及漏極結構，且其中包括該金屬材料的該第二隔離結構電性隔離于該第一導電接觸點及該些第二導電接觸點。

4.如權利要求3所述的半導體裝置結構，其中該第二隔離結構較該第一導電接觸點及該些第二導電接觸點寬。

5.如權利要求3所述的半導體裝置結構，更包括:

一第二介電層，該第二介電層覆蓋該第一介電層；以及

多個導電結構，位于該第二介電層中，其中該些導電結構電性連接至該第一導電接觸點及該些第二導電接觸點，且其中該第二隔離結構穿透該第一介電層且鄰接該第二介電層。

6.一種半導體裝置結構，包括：

一淺溝槽隔離結構，位于一基板中，其中該基板包括一第一半導體層、一第二半導體層及位于該第一半導體層及該第二半導體層之間的一絕緣層；

一第一晶體管及一第二晶體管，位于該基板中及之上，其中該淺溝槽隔離結構將該第一晶體管與該第二晶體管隔開；以及

一包含金屬的隔離結構，位于該基板中，其中該包含金屬的隔離結構位于該第一晶體管及該第二晶體管之間，且其中該包含金屬的隔離結構電性隔離于該第一晶體管及該第二晶體管，且該包含金屬的隔離結構的底表面低于該絕緣層的底表面。

7.如權利要求6所述的半導體裝置結構，其中該淺溝槽隔離結構將該包含金屬的隔離結構與該第二半導體層及該絕緣層隔開。

8.如權利要求7所述的半導體裝置結構，其中該包含金屬的隔離結構位于該淺溝槽隔離結構中且具有嵌入于該第一半導體層中的一底部部分。

9.如權利要求6所述的半導體裝置結構，更包括:

多個導電接觸點電性連接至該第一晶體管及該第二晶體管，其中該包含金屬的隔離結構延伸至該淺溝槽隔離結構中及之上，且其中該包含金屬的隔離結構環繞該些導電接觸點。

10.如權利要求6所述的半導體裝置結構，其中該淺溝槽隔離結構具有一第一頂表面且該包含金屬的隔離結構具有一第二頂表面，且其中該第二頂表面大體上與該第一頂表面共平面。

11.如權利要求6所述的半導體裝置結構，更包括:

一阱區，位于該基板中，其中該包含金屬的隔離結構穿透該淺溝槽隔離結構，且其中該阱區鄰接該淺溝槽隔離結構及該包含金屬的隔離結構。