[發(fā)明專利]一種芯片測(cè)試的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711216394.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108333497A | 公開(公告)日: | 2018-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李強(qiáng);席與凌;高金德;王繼華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測(cè)試 測(cè)試線程 存儲(chǔ)線程 芯片測(cè)試 存儲(chǔ) 芯片測(cè)試系統(tǒng) 測(cè)試系統(tǒng) 處理周期 芯片 測(cè)試項(xiàng) 調(diào)用 測(cè)試效率 測(cè)試芯片 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 有效減少 保存 消耗 創(chuàng)建 應(yīng)用 | ||
1.一種芯片測(cè)試的方法,應(yīng)用于芯片測(cè)試系統(tǒng)中,通過所述芯片測(cè)試系統(tǒng)對(duì)芯片執(zhí)行測(cè)試以及將所述芯片的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行保存,所述測(cè)試芯片系統(tǒng)中包括多個(gè)測(cè)試項(xiàng),其特征在于,于所述測(cè)試系統(tǒng)中創(chuàng)建一測(cè)試線程,以及一存儲(chǔ)線程;
預(yù)先在所述測(cè)試系統(tǒng)的一個(gè)處理周期內(nèi),定義所述測(cè)試線程執(zhí)行測(cè)試的測(cè)試時(shí)間以及所述存儲(chǔ)線程執(zhí)行存儲(chǔ)的存儲(chǔ)時(shí)間,其中所述處理周期等于所述測(cè)試時(shí)間和所述存儲(chǔ)時(shí)間之和;
包括以下步驟:
步驟S1、所述測(cè)試線程被啟動(dòng)后,在所述測(cè)試時(shí)間內(nèi)調(diào)用所述測(cè)試項(xiàng)對(duì)所述芯片執(zhí)行測(cè)試,以獲得測(cè)試結(jié)果;
步驟S2、所述測(cè)試線程于測(cè)試結(jié)束后,調(diào)用所述存儲(chǔ)線程,所述存儲(chǔ)線程在所述存儲(chǔ)時(shí)間內(nèi)對(duì)所述測(cè)試結(jié)果進(jìn)行保存。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,獲取所述測(cè)試時(shí)間以及所述存儲(chǔ)時(shí)間的方法為:
步驟A1、將所述測(cè)試線程單獨(dú)執(zhí)行測(cè)試占用的時(shí)間定為R;
步驟A2、將所述存儲(chǔ)線程單獨(dú)保存所述測(cè)試結(jié)果占用的時(shí)間定為S;
步驟A3、根據(jù)R/(R+S),獲取所述測(cè)試線程的權(quán)重;
步驟A4、根據(jù)S/(R+S),獲取所述存儲(chǔ)線程的權(quán)重;
步驟A5、根據(jù)所述測(cè)試線程的權(quán)重、所述存儲(chǔ)線程的權(quán)重以及所述處理周期,分別獲取所述測(cè)試線程的所述測(cè)試時(shí)間和所述存儲(chǔ)線程的所述存儲(chǔ)時(shí)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述測(cè)試系統(tǒng)包括一處理器,所述測(cè)試系統(tǒng)包括一內(nèi)存以及外部存儲(chǔ)單元;
在所述測(cè)試線程調(diào)用所述測(cè)試項(xiàng)對(duì)所述測(cè)試芯片執(zhí)行測(cè)試,并將所述測(cè)試結(jié)果記錄在所述內(nèi)存中,所述存儲(chǔ)線程于所述內(nèi)存中將所述測(cè)試結(jié)果存儲(chǔ)至所述外部存儲(chǔ)單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述測(cè)試線程執(zhí)行測(cè)試的方法包括,包括以下步驟:
步驟B1、判斷所述測(cè)試線程執(zhí)行的所述測(cè)試時(shí)間是否結(jié)束;
若是,執(zhí)行步驟S2;
步驟B2、所述測(cè)試線程繼續(xù)調(diào)用所述測(cè)試項(xiàng)對(duì)所述芯片執(zhí)行測(cè)試,以形成所述測(cè)試項(xiàng)對(duì)應(yīng)的測(cè)試結(jié)果。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述存儲(chǔ)線程執(zhí)行測(cè)試的方法,包括以下步驟:
步驟C1、判斷所述存儲(chǔ)線程執(zhí)行的所述存儲(chǔ)時(shí)間是否結(jié)束;
若是,進(jìn)入下一所述處理周期,并返回步驟S1;
步驟C2、所述存儲(chǔ)線程繼續(xù)將獲取的所述測(cè)試結(jié)果進(jìn)行保存。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述測(cè)試系統(tǒng)包括一處理器,所述處理周期為所述處理器的時(shí)間周期。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述測(cè)試線程的啟動(dòng)優(yōu)先級(jí)高于所述存儲(chǔ)線程的啟動(dòng)優(yōu)先級(jí)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述外部存儲(chǔ)單元為非易失性存儲(chǔ)器。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
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G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
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