[發(fā)明專利]沉積環(huán)固定組件、承載裝置及反應腔室有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711215971.8 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN109837518B | 公開(公告)日: | 2021-06-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李冰 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/50 | 分類號: | C23C14/50;C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 沉積 固定 組件 承載 裝置 反應 | ||
本發(fā)明提供了一種沉積環(huán)固定組件,包括支撐柱、固定板、限位件以及彈性件,其中:支撐柱,第一端用于與所述沉積環(huán)連接;固定板,固定設置且所述固定板上開設有安裝孔,所述支撐柱的第二端貫穿所述安裝孔;限位件,設置在所述支撐柱上;彈性件,被限制在在所述限位件和所述固定板之間,且在其彈力作用下所述支撐柱能在所述安裝孔內(nèi)下降,以向所述沉積環(huán)施加壓緊力來固定沉積環(huán)。本發(fā)明還提供一種承載裝置和反應腔室。本發(fā)明大大提高沉積環(huán)固定組件、承載裝置和反應腔室使用壽命。
技術領域
本發(fā)明屬于半導體加工設備技術領域,具體涉及一種沉積環(huán)固定組件、承載裝置及反應腔室。
背景技術
物理氣相沉積(以下簡稱PVD)通常應用在集成電路的制備過程中來沉積薄膜,最常用的是磁控濺射沉積方式。圖1為典型的磁控濺射沉積腔室的結構示意圖,如圖1所示,該磁控濺射沉積腔室包括:腔體1、磁控濺射裝置、環(huán)形內(nèi)襯7、蓋環(huán)8和沉積環(huán)10。其中,腔體1與靶材4限定出了腔室空間,在靶材4的上方設置磁控濺射裝置,包括:磁控管5和電機6,電機6驅動磁控管5在靶材4的上方旋轉,以掃描整個靶材4,靶材4與直流電源相連,直流電源會施加偏壓給靶材4,使靶材4相對于接地的腔體成為負壓,以致工藝氣體放電而產(chǎn)生等離子體,并且,該負偏壓同時能將帶正電的離子吸引至靶材4,當正電的離子的能量足夠高并在由旋轉的磁控管5形成的磁場作用下轟擊靶材4時,會使金屬原子逸出靶材表面,可擴散沉積在基片上形成薄膜;在腔室空間內(nèi)設置有基座9,用于固定、支撐和傳輸基片以及對基片S進行溫控;環(huán)形內(nèi)襯7為桶狀結構,套置在腔室的側壁內(nèi)側,保護腔室的內(nèi)側壁;環(huán)形內(nèi)襯7具有朝向腔室中心延伸的懸臂,蓋環(huán)8搭置在基座9和環(huán)形內(nèi)襯7的懸臂上,以遮擋基座9和環(huán)形內(nèi)襯7的懸臂之間的間隙;沉積環(huán)10安裝在基座9的邊緣區(qū)域設置的環(huán)形凹部內(nèi),沉積環(huán)10的內(nèi)徑小于基片的直徑,外徑大于蓋環(huán)的內(nèi)徑,以使基片的邊緣疊壓在沉積環(huán)10的內(nèi)圈部分,蓋環(huán)8疊壓在沉積環(huán)10的外圈部分。
為防止沉積環(huán)10在基片S在上升時被粘起,現(xiàn)有技術中通常采用兩個圖2所示的彈簧扣將沉積環(huán)10固定在基座9上,該彈簧扣包括:薄鈑金件2、安裝板3和掛鉤11,掛鉤11和安裝板3分別設置在薄鈑金件的兩端,且朝向兩個相反的方向,安裝板3還設置有安裝孔。具體安裝請參閱圖3a和圖3b,沉積環(huán)10上設置有安裝孔101,在安裝時,給薄鈑金件2施加一個作用力F(如圖3a所示),使得掛鉤11進入到安裝孔101,之后停止施加作用力F(如圖3b所示),則薄鈑金件2恢復至原來狀態(tài),使得掛鉤11掛在安裝孔101內(nèi),之后安裝板3通過安裝孔用螺釘固定在基座9的底部。卸載過程與安裝過程相反,在此不再贅述。
采用上述彈簧扣在固定沉積環(huán)10會存在以下問題:
拆卸次數(shù)較多后,薄鈑金件2容易發(fā)生塑性變形,彈性消失,從而使用壽命降低;第二,由于蓋環(huán)8為金屬材質(zhì),要求懸浮電位不可接地,而薄鈑金件2為金屬材質(zhì),公差控制不當,容易與蓋環(huán)8接觸,使得蓋環(huán)8接地,會影響等離子體的分布,從而風險性較高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一,提出了一種沉積環(huán)固定組件、承載裝置及反應腔室,可以大大地提高沉積環(huán)固定組件、承載裝置及反應腔室的使用壽命。
為解決上述問題之一,本發(fā)明提供了一種沉積環(huán)固定組件,包括支撐柱、固定板、限位件以及彈性件,其中:支撐柱,所述支撐柱的第一端用于與所述沉積環(huán)連接;固定板,固定設置且所述固定板上開設有安裝孔,所述支撐柱的第二端貫穿所述安裝孔;限位件,設置在所述支撐柱上;彈性件,被限制在所述限位件和所述固定板之間,且在其彈力作用下所述支撐柱能在所述安裝孔內(nèi)下降,以向所述沉積環(huán)施加壓緊力來固定沉積環(huán)。
優(yōu)選地,所述支撐柱包括柱本體和第一凸塊,所述柱本體的第一端沿徑向向外形成所述第一凸塊,所述第一凸塊用于搭接在所述沉積環(huán)上設置的搭接面上。
優(yōu)選地,所述支撐柱還包括第二凸塊,所述第二凸塊位于所述第一凸塊和所述固定板之間,所述第二凸塊用于防止所述支撐柱在安裝過程中自所述安裝孔掉落。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





