[發(fā)明專利]廢氣再循環(huán)裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711214431.8
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN109469566A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尹圣日;李東映;樸度俊;尹仁圣;高昇佑
• 申請（專利權(quán)）人: 現(xiàn)代自動車株式會社;起亞自動車株式會社
• 主分類號: F02M26/32
• 分類號: F02M26/32;F02M26/29
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;郭海娜

1.一種廢氣再循環(huán)裝置，其包括：

汽缸蓋，在所述汽缸蓋中形成有EGR通路，所述EGR通路從排氣側(cè)至進(jìn)氣側(cè)再循環(huán)EGR氣體；

冷卻液室，其形成于汽缸蓋內(nèi)部且處于EGR通路的周圍，使經(jīng)過EGR通路的EGR氣體冷卻的冷卻液經(jīng)過所述冷卻液室，以及

渦流生成器，其設(shè)置于EGR通路的一側(cè)以在經(jīng)過EGR通路的EGR氣體中形成渦流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的廢氣再循環(huán)裝置，進(jìn)一步包括：

第一EGR管路，其連接排氣歧管和EGR通路的入口側(cè)，所述排氣歧管連接至所述汽缸蓋的排氣側(cè)；以及

第二EGR管路，其連接EGR通路的出口側(cè)和進(jìn)氣歧管，所述進(jìn)氣歧管連接至汽缸蓋的進(jìn)氣側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的廢氣再循環(huán)裝置，其中：

渦流生成器設(shè)置于EGR通路的入口處。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的廢氣再循環(huán)裝置，進(jìn)一步包括：

EGR閥，其安裝于第二EGR管路的一側(cè)處以控制再循環(huán)的廢氣；以及

EGR冷卻器，其安裝于第二EGR管路的另一側(cè)處以冷卻再循環(huán)的廢氣。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的廢氣再循環(huán)裝置，其中：

所述渦流生成器包括：

外管件，其緊密地接觸EGR通路的內(nèi)圓周；

內(nèi)管件，其與所述外管件的內(nèi)圓周以預(yù)定間隔設(shè)置；以及

渦流生成翼，其形成于所述內(nèi)管件與外管件之間以在經(jīng)過的EGR氣體中形成渦流。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的廢氣再循環(huán)裝置，其中：

所述外管件的外圓周固定于EGR通路的內(nèi)圓周，在所述內(nèi)管件的中心部分形成中心孔，EGR氣體經(jīng)過所述中心孔。

7.一種廢氣再循環(huán)裝置，其包括：

汽缸蓋，在所述汽缸蓋中形成有EGR通路，所述EGR通路從排氣側(cè)至進(jìn)氣側(cè)再循環(huán)EGR氣體；

冷卻液室，其形成于汽缸蓋內(nèi)部并處于EGR通路的周圍，使經(jīng)過EGR通路的EGR氣體冷卻的冷卻液經(jīng)過所述冷卻液室，以及

渦流生成器，其設(shè)置于EGR通路的入口側(cè)以在經(jīng)過EGR通路的EGR氣體中形成渦流，

其中，所述渦流生成器包括：

外管件，其緊密地接觸并固定至EGR通路的內(nèi)圓周；

內(nèi)管件，其與所述外管件的內(nèi)圓周以預(yù)定間隔設(shè)置，在中心部分形成有中心孔，EGR氣體經(jīng)過所述中心孔；以及

渦流生成翼，其形成于所述內(nèi)管件與外管件之間以在經(jīng)過的EGR氣體中形成渦流。