[發明專利]封裝單元和包括該封裝單元的有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201711214039.3 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN108122953B | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發明(設計)人: | 吳載映 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;馬曉虹 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 單元 包括 有機 發光 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種可以防止薄膜晶體管劣化以改善可靠性的封裝單元以及一種包括該封裝單元的有機發光顯示裝置。至少一個透明氧化物膜設置于設置在發光元件上的多個無機封裝膜中的至少一個無機封裝膜下面,因此,至少一個透明氧化物膜中的氧與在形成無機封裝膜期間引入的氫結合以防止氫擴散到薄膜晶體管中。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2016年11月30日提交的韓國專利申請第P2016-0161514號的優先權和權益,其如同在本文中完全闡述一樣通過引用并入本文。
技術領域
本公開內容涉及封裝單元和包括該封裝單元的有機發光顯示裝置,更具體地,涉及一種防止薄膜晶體管劣化以改善可靠性的封裝單元和包括該封裝單元的有機發光顯示裝置。
背景技術
在平板顯示裝置中,薄膜晶體管(TFT)用作開關元件和/或驅動元件。根據用作有源層的材料,薄膜晶體管包括使用非晶硅的薄膜晶體管、使用多晶硅的薄膜晶體管和使用氧化物半導體的薄膜晶體管。在所有這些薄膜晶體管當中,使用氧化物半導體的薄膜晶體管與使用非晶硅的薄膜晶體管相比具有較高的遷移率,與使用非晶硅的薄膜晶體管和使用多晶硅的薄膜晶體管相比具有明顯更低的漏電流,并且具有相對高的可靠性。此外,與使用多晶硅的薄膜晶體管相比,使用氧化物半導體的薄膜晶體管的優點在于閾值電壓(Vth)分布是均勻的。
在這種使用氧化物半導體的薄膜晶體管上形成多個無機膜。如果這些無機膜通過PECVD工藝生長,則無機膜中的氫含量為約15%至30%。當包含在無機膜中的氫擴散到薄膜晶體管的有源層中時,擴散的氫與包含在氧化物半導體中的氧起反應,因此,薄膜晶體管的特性(例如,閾值電壓等)改變并且薄膜晶體管的可靠性可能降低。
發明內容
因此,本公開內容涉及如下的封裝單元和包括該封裝單元的有機發光顯示裝置,其基本上消除了由于相關技術的限制和缺點而引起的一個或多個問題。
本公開內容的目的是提供防止薄膜晶體管劣化以改善可靠性的封裝單元以及包括該封裝單元的有機發光顯示裝置。
本公開內容的附加優點、目的和特征將在接下來的說明書中部分地闡述,并且在考察了下面的內容時對于本領域的普通技術人員而言部分地將變得顯而易見或者可以從本公開內容的實踐中了解。本公開內容的目的和其他優點可以通過在所撰寫的說明書及其權利要求書以及附圖中具體指出的結構來實現和獲得。
為了實現這些目的和其他優點,并且根據本公開內容的目的,如在本文中體現和廣泛描述的那樣,一種有機發光顯示裝置包括:發光元件,其設置在基板上;以及封裝單元,其設置發光元件中的每個發光元件上,其中,該封裝單元包括多個無機封裝膜、設置在多個無機封裝膜之間的至少一個有機封裝膜以及設置在多個無機封裝膜中的至少一個無機封裝膜下面的至少一個透明氧化物膜。
在本公開內容的另一方面,一種封裝單元包括:多個無機封裝膜;至少一個有機封裝膜,其設置在多個無機封裝膜之間;以及至少一個透明氧化物膜,其設置在多個無機封裝膜中的至少一個無機封裝膜下面。
應當理解的是,本公開內容的前述的概括描述和下面的詳細描述都是示例且是說明性的,并且旨在提供對所要求保護的本公開內容的進一步說明。
附圖說明
被包括以提供對本公開內容的進一步理解并且并入本申請并構成本申請的一部分的附圖示出了本公開內容的實施方式并且與說明書一起用于說明本公開內容的原理。在附圖中:
圖1是根據本公開內容的有機發光顯示裝置的平面圖;
圖2是圖1所示的有機發光顯示裝置的截面圖;
圖3A和圖3B是根據圖2所示的各種實施方式的封裝單元的截面圖;和
圖4A至圖4C是示出制造圖2所示的有機發光顯示裝置的方法的截面圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





