[發(fā)明專利]封裝單元和包括該封裝單元的有機(jī)發(fā)光顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711214039.3 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN108122953B | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳載映 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;馬曉虹 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 單元 包括 有機(jī) 發(fā)光 顯示裝置 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置,包括:
發(fā)光元件,其設(shè)置在基板的陣列區(qū)域上;以及
封裝單元,其設(shè)置在所述發(fā)光元件中的每個(gè)發(fā)光元件上,所述封裝單元包括:
多個(gè)無機(jī)封裝膜;
至少一個(gè)有機(jī)封裝膜,其設(shè)置在所述多個(gè)無機(jī)封裝膜之間;
壩部,其形成所述至少一個(gè)有機(jī)封裝膜的邊界;以及
至少一個(gè)透明氧化物膜,其設(shè)置在所述多個(gè)無機(jī)封裝膜中的至少一個(gè)無機(jī)封裝膜下面,并且與所述多個(gè)無機(jī)封裝膜中的距所述發(fā)光元件最近的最下面的無機(jī)封裝膜相比朝向所述壩部突出得更遠(yuǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中,所述至少一個(gè)透明氧化物膜設(shè)置在所述發(fā)光元件中的每個(gè)發(fā)光元件的陰極與所述多個(gè)無機(jī)封裝膜中的距所述陰極最近的最下面的無機(jī)封裝膜之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中,所述至少一個(gè)透明氧化物膜包括分別設(shè)置在所述多個(gè)無機(jī)封裝膜中的每一個(gè)無機(jī)封裝膜下面的多個(gè)透明氧化物膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,還包括:
焊盤,其設(shè)置在所述基板的焊盤區(qū)域中,
其中,所述至少一個(gè)透明氧化物膜包括與所述多個(gè)無機(jī)封裝膜中的距所述發(fā)光元件最遠(yuǎn)的最上面的無機(jī)封裝膜相比朝向所述焊盤突出得更遠(yuǎn)的一個(gè)透明氧化物膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中,
其中,朝向所述焊盤突出得更遠(yuǎn)的一個(gè)透明氧化物膜被設(shè)置成相對于所述焊盤覆蓋所述壩部的上表面和外側(cè)表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,還包括:
焊盤,其設(shè)置在所述基板的焊盤區(qū)域中,
其中,所述至少一個(gè)透明氧化物膜包括:
第一透明氧化物膜,其在所述基板的所述陣列區(qū)域內(nèi)與所述多個(gè)無機(jī)封裝膜中的距所述發(fā)光元件最近的最下面的無機(jī)封裝膜相比朝向所述壩部突出得更遠(yuǎn);以及
第二透明氧化物膜,其設(shè)置在所述第一透明氧化物膜上,并且與所述多個(gè)無機(jī)封裝膜中的距所述發(fā)光元件最遠(yuǎn)的最上面的無機(jī)封裝膜相比朝向所述焊盤突出得更遠(yuǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中,所述至少一個(gè)透明氧化物膜與所述發(fā)光元件中的每個(gè)發(fā)光元件的陰極接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,還包括:
連接至所述發(fā)光元件中的每個(gè)發(fā)光元件的薄膜晶體管,
其中,所述至少一個(gè)透明氧化物膜由與所述薄膜晶體管的有源層的材料相同的材料構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中,所述至少一個(gè)透明氧化物膜由IGZO、IZO、ITO或ZnO中的至少一個(gè)形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中:
所述至少一個(gè)透明氧化物膜包括金屬元素和氧元素,其中,氧與金屬之比大于1:1。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中,所述至少一個(gè)透明氧化物膜中的每一個(gè)均具有至的厚度。
12.一種封裝單元,包括:
多個(gè)無機(jī)封裝膜;
至少一個(gè)有機(jī)封裝膜,其設(shè)置在所述多個(gè)無機(jī)封裝膜之間;以及
至少一個(gè)透明氧化物膜,其設(shè)置在所述多個(gè)無機(jī)封裝膜中的至少一個(gè)無機(jī)封裝膜下面,
其中,所述至少一個(gè)透明氧化物膜中的每個(gè)透明氧化物膜向外延伸超出所述多個(gè)無機(jī)封裝膜中的對應(yīng)的一個(gè)無機(jī)封裝膜并且與所述對應(yīng)的一個(gè)無機(jī)封裝膜相比覆蓋更大的區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝單元,其中,所述至少一個(gè)透明氧化物膜設(shè)置在所述多個(gè)無機(jī)封裝膜中的最下面的無機(jī)封裝膜下面。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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