[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝體及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711213331.3 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN109841721B | 公開(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 鄭榮;金尚彥;金赫駿 | 申請(專利權)人: | 首爾半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/52 | 分類號: | H01L33/52;H01L33/50;H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;舒艷君 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發(fā)光二極管 封裝 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管封裝體及其制造方法,發(fā)光二極管封裝體包括:分開配置的第一引線以及第二引線;殼體,支撐第一引線以及第二引線,包括使第一引線以及第二引線中任一個以上的上表面一部分露出的腔室;發(fā)光二極管芯片,配置于腔室內;第一波長部,配置于發(fā)光二極管芯片的上部,對由發(fā)光二極管芯片釋放的光進行波長轉換;以及第二波長部,以覆蓋腔室的底面的方式配置,并對由發(fā)光二極管芯片釋放的光進行波長轉換,第一波長部的平均厚度與第二波長部的平均厚度不同。由于能夠將發(fā)光二極管封裝體所包含的熒光體的量以配置在發(fā)光二極管芯片上的熒光體的量為基準確定,因此能夠對決定由發(fā)光二極管芯片釋放的光的色坐標的熒光體的量進行數(shù)值控制。
技術領域
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管封裝體及其制造方法,更詳細而言,涉及對由發(fā)光二極管芯片釋放的光進行波長轉換而向外部釋放的發(fā)光二極管封裝體。
背景技術
對照明裝置以及顯示裝置的背光燈等這樣的器件廣泛使用白色發(fā)光二極管。通常通過對釋放短波長的光的發(fā)光二極管芯片、和用于對由發(fā)光二極管芯片釋放的光的一部分進行波長轉換而轉換為長波長的光的熒光體進行封裝,來實現(xiàn)白色發(fā)光元件。
作為一例,白色發(fā)光元件包括釋放青色光的青色發(fā)光二極管芯片,作為用于對青色光進行波長轉換而轉換為白色光的熒光體,利用釔鋁石榴石(YAG)或者硅酸鹽(silicate)系列的單一熒光體,或者利用將KSF系列的紅色熒光體和beta-SiAlOn系列的綠色熒光體混合而成的熒光體。
如上所述,通過將釋放青色光的發(fā)光二極管芯片和熒光體組合而制造白色發(fā)光元件,但此時,為了將由制造出的白色發(fā)光元件釋放的白色光的色溫設定為所期望的色溫,需要調節(jié)所利用的熒光體的量。
以往,準備將量相互不同的多個熒光體分別與硅樹脂等調配而成的多個模制材料,將所準備的多個模制材料填充至發(fā)光二極管封裝體而制造多個發(fā)光二極管封裝體。這樣制造的多個發(fā)光二極管封裝體,由于所包含的熒光體的量相互不同,所以各發(fā)光二極管封裝體能夠釋放具有相互不同的色溫的白色光。
可以在以上述方式制造的多個發(fā)光二極管封裝體中篩選釋放所期望的色坐標的白色光的發(fā)光二極管封裝體,并將篩選出的發(fā)光二極管封裝體所包含的熒光體的量設定為基準而大量生產發(fā)光二極管封裝體。
但是,在這樣制造發(fā)光二極管封裝體時,由于無法確認各發(fā)光二極管封裝體所包含的熒光體被包含了多少量,所以有可能導致由大量制造出的發(fā)光二極管封裝體釋放的白色光的色坐標不均勻。
另外,為了篩選釋放所期望的色坐標的白色光的發(fā)光二極管封裝體,需要經過制造多個發(fā)光二極管封裝體的過程,因此存在工序繁雜的問題。
發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的問題在于,提供能夠設定發(fā)光二極管封裝體內所包含的熒光體的分布以及熒光體的量的基準的發(fā)光二極管封裝體及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光二極管封裝體可以包括:相互分開配置的第一引線以及第二引線;殼體,支撐上述第一引線以及第二引線,并包括使上述第一引線以及第二引線中任意一個以上的上表面一部分露出的腔室;發(fā)光二極管芯片,配置于上述殼體的腔室內;第一波長部,配置于上述發(fā)光二極管芯片的上部,并對由上述發(fā)光二極管芯片釋放的光進行波長轉換;以及第二波長部,以覆蓋上述腔室的底面的方式配置,并對由上述發(fā)光二極管芯片釋放的光進行波長轉換,上述第一波長部的平均厚度與第二波長部的平均厚度相互不同。
此時,上述第一波長部的平均厚度與第二波長部的平均厚度的比率可以為1:1.5至1:3。或者,上述第一波長部的平均厚度與第二波長部的平均厚度的比率可以為1:2。
并且,上述殼體可以包括上述腔室的內側面由傾斜面形成的面,上述第二波長部可以以覆蓋上述傾斜面的至少一部分的方式配置。
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