[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管封裝體及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711213331.3 | 申請(qǐng)日： | 2017-11-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109841721B | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-05-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭榮;金尚彥;金赫駿 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 首爾半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/52 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/52;H01L33/50;H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;舒艷君 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，
包括：
相互分開(kāi)配置的第一引線(xiàn)以及第二引線(xiàn)；
殼體，支撐所述第一引線(xiàn)以及第二引線(xiàn)，并包括使所述第一引線(xiàn)以及第二引線(xiàn)中任意一個(gè)以上的上表面一部分露出的腔室；
發(fā)光二極管芯片，配置于所述殼體的腔室內(nèi)；
第一波長(zhǎng)部，僅配置于所述發(fā)光二極管芯片的上部，并對(duì)由所述發(fā)光二極管芯片釋放的光進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換；以及
第二波長(zhǎng)部，以覆蓋所述腔室的底面的方式配置，并對(duì)由所述發(fā)光二極管芯片釋放的光進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，
其中，所述第一波長(zhǎng)部和所述第二波長(zhǎng)部中的每一個(gè)均包括熒光體，
其中，所述第一波長(zhǎng)部的熒光體與所述第二波長(zhǎng)部的熒光體是同一種類(lèi)，
其中，所述第一波長(zhǎng)部的平均厚度與第二波長(zhǎng)部的平均厚度相互不同，
其中，在所述第一波長(zhǎng)部和所述第二波長(zhǎng)部上覆蓋有硅樹(shù)脂，
其中，所述第一波長(zhǎng)部被配置成與所述第二波長(zhǎng)部間隔開(kāi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，
所述第一波長(zhǎng)部的平均厚度與第二波長(zhǎng)部的平均厚度的比率為1:1.5至1:3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，
所述第一波長(zhǎng)部的平均厚度與第二波長(zhǎng)部的平均厚度的比率為1:2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，
所述殼體包括所述腔室的內(nèi)側(cè)面由傾斜面形成的面，
所述第二波長(zhǎng)部以覆蓋所述傾斜面的至少一部分的方式配置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，
以覆蓋所述傾斜面的方式配置的第二波長(zhǎng)部配置成：在與所述腔室的底面相鄰的位置處的平均厚度比所述第一波長(zhǎng)部的平均厚度厚，并且在與所述腔室的上部相鄰的位置處的平均厚度比所述第一波長(zhǎng)部的平均厚度薄。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，
以覆蓋所述傾斜面的方式配置的第二波長(zhǎng)部配置成：隨著從所述腔室的底面朝向上方，覆蓋所述傾斜面的第二波長(zhǎng)部的平均厚度變薄。
7.一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，
包括：
相互分開(kāi)配置的第一引線(xiàn)以及第二引線(xiàn)；
殼體，支撐所述第一引線(xiàn)以及第二引線(xiàn)，并包括使所述第一引線(xiàn)以及第二引線(xiàn)中任意一個(gè)的上表面一部分露出的腔室；
發(fā)光二極管芯片，配置于所述殼體的腔室內(nèi)；
第一波長(zhǎng)部，僅配置于所述發(fā)光二極管芯片的上部，并對(duì)由所述發(fā)光二極管芯片釋放的光進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換；以及
第二波長(zhǎng)部，以覆蓋所述腔室的底面和傾斜面的方式配置，并對(duì)由所述發(fā)光二極管芯片釋放的光進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，
其中，所述第一波長(zhǎng)部和所述第二波長(zhǎng)部中的每一個(gè)均包括熒光體，
其中，所述第一波長(zhǎng)部的熒光體與所述第二波長(zhǎng)部的熒光體是同一種類(lèi)，
其中，所述腔室的側(cè)面由傾斜面形成，
其中，所述第二波長(zhǎng)部配置成：以隨著從所述傾斜面的下部朝向上部而變薄的方式覆蓋所述傾斜面，
其中，在所述第一波長(zhǎng)部和所述第二波長(zhǎng)部上覆蓋有硅樹(shù)脂，
其中，所述第一波長(zhǎng)部被配置成與所述第二波長(zhǎng)部間隔開(kāi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，
所述第一波長(zhǎng)部的平均厚度與第二波長(zhǎng)部的平均厚度相互不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，
所述第一波長(zhǎng)部的平均厚度與第二波長(zhǎng)部的平均厚度的比率為1:1.5至1:3。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于，
所述第一波長(zhǎng)部的平均厚度與第二波長(zhǎng)部的平均厚度的比率為1:2。
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H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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