[發(fā)明專利]一種壓塊觸發(fā)裝置和環(huán)氧樹脂真空低壓封裝工藝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711212852.7 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN107958857A | 公開(公告)日: | 2018-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李杰;金龍;宋哲宇 | 申請(專利權(quán))人: | 北方電子研究院安徽有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/56 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司32224 | 代理人: | 耿英,董建林 |
| 地址: | 233040*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 觸發(fā) 裝置 環(huán)氧樹脂 真空 低壓 封裝 工藝 方法 | ||
1.一種壓塊觸發(fā)裝置,其特征是,包括壓塊、活動銷和氣缸;壓塊上部具有一滑桿,活動銷前端可嵌入至滑桿側(cè)面的燕尾槽中;活動銷末端通過連桿與氣缸中的活塞相連,由活塞的運動帶動活動銷嵌入滑桿中或從滑桿中退出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓塊觸發(fā)裝置,其特征是,還包括一對所述滑桿的滑動進行導(dǎo)向的導(dǎo)軌。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種壓塊觸發(fā)裝置,其特征是,所述活動銷前端穿過導(dǎo)軌嵌入至滑桿側(cè)面的燕尾槽中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓塊觸發(fā)裝置,其特征是,置于抽真空的環(huán)境中時,氣缸中的氣體推動活塞運動,通過連桿帶動活動銷從滑桿側(cè)面的燕尾槽中退出,使壓塊失去阻擋在重力作用下下落。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種壓塊觸發(fā)裝置,其特征是,所述壓塊下方為一殼體,殼體上蓋有一預(yù)先涂敷并固化環(huán)氧樹脂的蓋板;所述殼體和蓋板置于同一抽真空的烘箱中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種壓塊觸發(fā)裝置,其特征是,所述殼體為陶瓷外殼或金屬外殼;所述蓋板為陶瓷蓋板、玻璃蓋板或金屬蓋板。
7.基于權(quán)利要求1所述的壓塊觸發(fā)裝置的環(huán)氧樹脂真空低壓封裝工藝方法,其特征是,包括以下步驟:
將預(yù)先涂敷并固化環(huán)氧樹脂的蓋板蓋于殼體上;
將帶有蓋板的殼體與壓塊觸發(fā)裝置放置于真空烘箱中;烘箱升溫,到達設(shè)定溫度后對烘箱進行抽真空并由壓塊觸發(fā)裝置觸發(fā)壓塊下落至蓋板上對蓋板進行施壓,再升溫到峰值固化溫度進行固化。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的環(huán)氧樹脂真空低壓封裝工藝方法,其特征是,預(yù)先固化溫度低于峰值固化溫度50℃~70℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的環(huán)氧樹脂真空低壓封裝工藝方法,其特征是,環(huán)氧樹脂預(yù)先固化溫度:80℃~125℃。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的環(huán)氧樹脂真空低壓封裝工藝方法,其特征是,環(huán)氧樹脂峰值固化溫度:150℃~175℃。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





