[發(fā)明專利]一種自對(duì)準(zhǔn)四重圖形技術(shù)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711208508.0
• 申請(qǐng)日: 2017-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN107993925B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛曉明;蘇林;高晶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;H01L21/033;H01L23/538
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 佟林松

1.一種自對(duì)準(zhǔn)圖形工藝方法，其特征在于包括以下步驟：

在待刻蝕層的表面依次沉積形成第一硬掩模層、核心材料層、第二硬掩模層和光刻層，并隨后進(jìn)行光刻以形成圖形化的光刻層；

利用圖形化的光刻層為掩模對(duì)第二硬掩模層進(jìn)行刻蝕，形成圖形化的第二硬掩模層；隨后利用圖形化的第二硬掩模層作為掩模對(duì)核心材料層進(jìn)行刻蝕，形成圖形化的核心材料層；隨后去除圖形化的第二硬掩模層，并沉積形成覆蓋圖形化的核心材料層和第一硬掩模層的第一側(cè)墻材料層；

刻蝕以去除水平方向的第一側(cè)墻材料層以形成第一側(cè)墻層；

去除圖形化的核心材料層；

沉積形成覆蓋第一側(cè)墻層和第一硬掩模層的第二側(cè)墻材料層；

刻蝕以去除水平方向的第二側(cè)墻材料層以形成第二側(cè)墻層；

去除第一側(cè)墻層；

以第二側(cè)墻層為掩?？涛g第一硬掩模層以形成圖形化的第一硬掩模層；

以圖形化的第一硬掩模層為掩?？涛g待刻蝕層以形成溝道。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征在于：

所述第一硬掩模層為多晶硅(Poly)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征在于：

所述核心材料層為旋涂的含碳材料(Spin-on Carbon，簡稱SoC)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征在于：

所述第二硬掩模層為氮氧化硅(SiON)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征在于：

所述第一側(cè)墻材料層為氮化硅(SiN)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征在于：

所述第二側(cè)墻材料層為氧化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的工藝方法，其特征在于：

沉積所述第二側(cè)墻材料層采用原子層沉積工藝(ALD)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的工藝方法，其特征在于：

所述去除第一側(cè)墻層采用磷酸溶液的濕法刻蝕工藝(Wet Etch)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征在于：

所述第一側(cè)墻層和第二側(cè)墻層的厚度為最小尺寸(Pitch)的1/4。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征在于：

所述去除水平方向的第一側(cè)墻材料層以及去除水平方向的第二側(cè)墻材料層，采用無阻擋式干法刻蝕(Blanket Dry Etch)。