[發明專利]排氣結構

在審

• 申請號: 201711206631.9
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN109309027A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 謝獻章;林群智;石大德;吳文雄;楊俊德;蘇毓仁
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本揭露提供一種排氣結構。此排氣結構包含進氣段、排氣段與管路段。進氣段包含第一高熱傳導材料，并具有進氣口。排氣段包含第二高熱傳導材料，并具有排氣口。管路段包含第三高熱傳導材料。管路段配置以將進氣段連通耦合至排氣段。此排氣結構提供從進氣口至排氣口的高熱傳導路徑。此高熱傳導路徑包含第一高熱傳導材料、第二高熱傳導材料與第三高熱傳導材料。

技術領域

本揭露是有關一種排氣結構，且特別是提供一種具有排氣結構的加熱腔體系統及蒸氣的排出方法。

背景技術

于集成電路(Integrated Circuit；IC)制程中，形成個別IC元件，且利用各種制造設備來測試這些個別IC元件，以進行多個操作。在一些操作中，對其上建立有多個IC的基材加熱，以促使或加速用以形成IC的材料的改質。

為了加熱基材，常使用加熱腔體來控制基材的溫度與周遭環境。為了進行包含氣體材料的操作，周遭環境的控制可包含透過排氣結構排出一或多種氣體。

發明內容

在一些實施例中，排氣結構包含：包含第一高熱傳導材料的進氣段，進氣段包含進氣口；包含第二高熱傳導材料的排氣段，排氣段包含排氣口；以及包含第三高熱傳導材料的管路段，管路段是配置以將進氣段連通耦合至排氣段。排氣結構是配置以提供從進氣口至排氣口的高熱傳導路徑，此高熱傳導路徑包含第一高熱傳導材料、第二高熱傳導材料與第三高熱傳導材料。

附圖說明

從以下結合所附附圖所做的詳細描述，可對本揭露的態樣有更佳的了解。需注意的是，根據業界的標準實務，各特征并未依比例繪示。事實上，為了使討論更為清楚，各特征的尺寸可任意地增加或減少。

圖1是根據一些實施例的加熱腔體系統的示意圖；

圖2是根據一些實施例的排氣結構的示意圖；

圖3是根據一些實施例的蒸氣的排出方法的流程圖。

具體實施方式

以下的揭露提供了許多不同的實施例或例子，以實施發明的不同特征。以下所描述的構件與安排的特定例子是用以簡化本揭露。當然這些僅為例子，并非用以做為限制。舉例而言，在描述中，第一特征形成于第二特征上方或上，可能包含第一特征與第二特征以直接接觸的方式形成的實施例，而也可能包含額外特征可能形成在第一特征與第二特征之間的實施例，如此第一特征與第二特征可能不會直接接觸。此外，本揭露可能會在各例子中重復參考數字及/或文字。這樣的重復是基于簡單與清楚的目的，以其本身而言并非用以指定所討論的各實施例及/或配置之間的關系。

另外，在此可能會使用空間相對用語，例如“向下(beneath)”、“下方(below)”、“較低(lower)”、“上方(above)”、“較高(upper)”等等，以方便描述來說明如附圖所繪示的一元件或一特征與另一(另一些)元件或特征的關系。除了在圖中所繪示的方向外，這些空間相對用詞意欲含括元件在使用或操作中的不同方位。設備可能以不同方式定位(旋轉90度或在其他方位上)，因此可利用同樣的方式來解釋在此所使用的空間相對描述符號。

在多個實施例中，加熱腔體系統的排氣結構包含進氣段、管路段與排氣段。每一區段包含高熱傳導材料，而使高熱傳導路徑將熱從進氣口傳導至排氣口。相較于從不具有高熱傳導路徑的結構所排出的蒸氣，從此排氣結構排出的蒸氣是較低溫的，而減少當蒸氣降溫時，從蒸氣冷凝的材料的阻塞(buildup)。在一些實施例中，通過排氣結構中，具有低發射系數(emissivity coefficient)的材料，冷凝的材料阻塞是更被減少。在一些實施例中，通過相同內徑、平坦層及/或曲線的剖面輪廓，冷凝的材料阻塞是更進一步被減少。

圖1是根據一些實施例的加熱腔體系統100的示意圖。圖1是加熱腔體系統100與基材150的剖視圖，其中基材150是位于加熱腔體系統100中。