[發明專利]排氣結構在審
| 申請號： | 201711206631.9 | 申請日： | 2017-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN109309027A | 公開（公告）日： | 2019-02-05 |
| 發明（設計）人： | 謝獻章;林群智;石大德;吳文雄;楊俊德;蘇毓仁 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高熱傳導材料 排氣結構 管路段 進氣段 排氣段 進氣口 高熱傳導 排氣口 耦合 連通 配置 | ||
【權利要求書】：
1.一種排氣結構，其特征在于，該排氣結構包含：
一進氣段，包含一第一高熱傳導材料，其中該進氣段包含一進氣口；
一排氣段，包含一第二高熱傳導材料，其中該排氣段包含一排氣口；以及
一管路段，包含一第三高熱傳導材料，其中該管路段是配置以將該進氣段連通耦合至該排氣段，
其中該排氣結構是配置以從該進氣口至該排氣口提供一高熱傳導路徑，該高熱傳導路徑包含該第一高熱傳導材料、該第二高熱傳導材料與該第三高熱傳導材料。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
