[發明專利]一種靜電卡盤上深窄槽的加工工藝在審
| 申請號: | 201711206242.6 | 申請日: | 2017-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN108054127A | 公開(公告)日: | 2018-05-18 |
| 發明(設計)人: | 游利 | 申請(專利權)人: | 靖江先鋒半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 靖江市靖泰專利事務所 32219 | 代理人: | 陸平 |
| 地址: | 214500 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 靜電 卡盤 上深窄槽 加工 工藝 | ||
本發明公開了一種靜電卡盤上深窄槽的加工工藝,包括以下步驟:步驟一、確定深窄槽的參數;步驟二、計算機軟件建模;步驟三、編程運算;步驟四、生成后處理程序;步驟五、深窄槽加工;合理的參數設計,再結合合理的加工刀路,不但減少了進退刀的次數,保護了刀具,而且提高了加工精度和表面光潔度,便于后期的硫酸硬質氧化處理和耐擊穿測試。
技術領域
本發明涉及半導體制造技術領域,具體而言,涉及一種加工精度高的、效率高的靜電卡盤上深窄槽的加工工藝。
背景技術
靜電卡盤是一種利用靜電引力將晶片固定在卡盤上并能增大晶片的有效加工面積,實現溫度控制的設備,是關鍵性的部件,集成電路芯片的制造過程是一個高度自動化流水作業過程,加工處理工藝,特別是等離子刻蝕(ETCH)、物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)等,多數是在反應腔室內完成,而且前后工序銜接緊密,各道工序能否順利進行將直接影響整個工藝的生產效率,而且在反應腔室內對晶片進行加工處理時,通常需要借助于機械卡盤和真空卡盤來固定晶片,靜電卡盤的設計很緊湊,其對空間利用率要求較高,有很多難加工的深窄槽,且溝槽內需要做硫酸硬質氧化處理,對溝槽的表面光潔度要求較高,使用線切割和電火花加工無法達到需要的粗糙度且無法通過耐擊穿測試,需要用銑刀進行加工,使用傳統工藝加工時經常出現銑刀折斷的問題,需要一種新的加工工藝來解決這一難題。
發明內容
本發明目的是提供一種加工精度高的、效率高的靜電卡盤上深窄槽的加工工藝,解決了以上技術問題。
為了實現上述技術目的,達到上述的技術要求,本發明所采用的技術方案是:一種靜電卡盤上深窄槽的加工工藝,其特征是:包括以下步驟:
步驟一、確定深窄槽的參數;
步驟二、計算機軟件建模;
步驟三、編程運算;
步驟四、生成后處理程序;
步驟五、深窄槽加工。
作為優選的技術方案:所述的步驟一,根據設計要求,確定深窄槽的長度、寬度和深度。
作為優選的技術方案:所述的深窄槽的橫截面為腰孔形結構,由中間的長槽和設置在長槽兩端的弧形槽組成。
作為優選的技術方案:所述的步驟三,采用XYZ三軸聯動的螺旋銑。
作為優選的技術方案:所述的步驟四,生成CNC機床可識別的加工程序。
作為優選的技術方案:所述的步驟五、首先加工靜電卡盤外圓A面,以及上表面B面;以外圓A面為基準,B面的圓心為銑刀原點,運行后處理程序,由1位置銑弧形槽,進一步按2、3、4順序,銑深窄槽形狀,進一步按5、6、7、8、9、10順序,逐漸向下分層銑;銑刀形成螺旋刀路。
本發明的有益效果是:一種靜電卡盤上深窄槽的加工工藝,與傳統工藝相比:合理的參數設計,再結合合理的加工刀路,不但減少了進退刀的次數,保護了刀具,而且提高了加工精度和表面光潔度,便于后期的硫酸硬質氧化處理和耐擊穿測試。
附圖說明
圖1為本發明工藝流程圖;
圖2為本發明刀路結構示意圖1;
圖3為本發明刀路結構示意圖2;
在圖中:101.長槽、102.弧形槽。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明進一步描述;
在附圖中:一種靜電卡盤上深窄槽的加工工藝,其特征是:包括以下步驟:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





