[發(fā)明專利]一種靜電卡盤上深窄槽的加工工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711206242.6 | 申請日： | 2017-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN108054127A | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 游利 | 申請（專利權(quán)）人： | 靖江先鋒半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 靖江市靖泰專利事務(wù)所 32219 | 代理人： | 陸平 |
| 地址： | 214500 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 靜電 卡盤 上深窄槽 加工 工藝 | ||
1.一種靜電卡盤上深窄槽的加工工藝，其特征是：包括以下步驟：
步驟一、確定深窄槽的參數(shù)；
步驟二、計算機軟件建模；
步驟三、編程運算；
步驟四、生成后處理程序；
步驟五、深窄槽加工。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種靜電卡盤上深窄槽的加工工藝，其特征是：所述的步驟一，根據(jù)設(shè)計要求，確定深窄槽的長度、寬度和深度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種靜電卡盤上深窄槽的加工工藝，其特征是：所述的深窄槽的橫截面為腰孔形結(jié)構(gòu)，由中間的長槽（101）和設(shè)置在長槽（101）兩端的弧形槽（102）組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種靜電卡盤上深窄槽的加工工藝，其特征是：所述的步驟三，采用XYZ三軸聯(lián)動的螺旋銑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種靜電卡盤上深窄槽的加工工藝，其特征是：所述的步驟四，生成CNC機床可識別的加工程序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種靜電卡盤上深窄槽的加工工藝，其特征是：所述的步驟五、首先加工靜電卡盤外圓A面，以及上表面B面；以外圓A面為基準(zhǔn)，B面的圓心為銑刀（103）原點，運行后處理程序，由1位置銑弧形槽（102），進一步按2、3、4順序，銑深窄槽形狀，進一步按5、6、7、8、9、10順序，逐漸向下分層銑，銑刀（103）形成螺旋刀路。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
