[發(fā)明專利]一種有機電致發(fā)光顯示面板的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711204433.9 | 申請日: | 2017-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN108011053B | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 易偉華;張迅;張伯倫;周慧蓉 | 申請(專利權(quán))人: | 江西沃格光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 生啟 |
| 地址: | 338004 江西省新余*** | 國省代碼: | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有機 電致發(fā)光 顯示 面板 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發(fā)光顯示面板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
在襯底基板的表面制備層疊于所述襯底基板的ITO膜;
對所述ITO膜的表面進行清洗處理;
采用活化處理液對所述ITO膜的表面進行表面活化處理;所述活化處理液包括水、雙氧水及氨水,且所述活化處理液中雙氧水的質(zhì)量百分含量為13%~15%,所述氨水的質(zhì)量百分含量為13%~15%;
對所述ITO膜的表面進行等離子處理至所述ITO膜表面的功函數(shù)為5.2eV~5.6eV,所述等離子處理的步驟具體為:在真空度為10Pa~50Pa的條件下,向所述ITO膜遠離所述襯底基板的表面通氧氣;再開啟射頻電源將氧氣電離成臭氧對所述ITO膜遠離所述襯底基板的表面進行處理;
在所述ITO膜的表面依次形成功能膜及陰極,所述功能膜包括空穴注入層;及
在所述陰極遠離所述功能膜的表面設置蓋板進行封裝;
其中,所述對所述ITO膜的表面進行清洗處理的步驟前還包括步驟:對所述襯底基板遠離ITO膜的表面進行研磨處理至所述襯底基板的厚度為0.5mm~1.0mm;
在所述對襯底基板遠離ITO膜的表面進行研磨處理的步驟前還包括步驟:在所述ITO膜遠離所述襯底基板的表面覆蓋保護膜;及在所述對襯底基板遠離ITO膜的表面進行研磨處理的步驟后還包括步驟:移除所述保護膜;
所述在所述ITO膜遠離所述襯底基板的表面覆蓋保護膜的步驟具體為:將保護漿料涂覆在所述ITO膜上形成所述保護膜,其中所述保護漿料通過以下步驟制備:按質(zhì)量份數(shù)計,將9.5份~9.9份的氫氧化鈉溶解在44.2份~47.9份的水中,并加入21.4份~22.5份的丙烯酸進行預處理;再依次加入4.5份~4.7份的氧-2-羥乙基、9.0份~9.5份的丙烯酰胺和4.5份~4.7份的碳酸鈣混合均勻;再加入3.2份~4.5份的過硫酸銨進行接枝聚合反應得到保護漿料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示面板的制備方法,其特征在于,所述清洗處理的步驟具體為:依次采用含表面活性劑的溶液、乙醇、丙酮及水對所述ITO膜遠離所述襯底基板的表面進行超聲波清洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示面板的制備方法,其特征在于,所述功能膜包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層,所述空穴注入層層疊于所述ITO膜遠離所述襯底基板的一面;
及/或,所述空穴注入層的材料選自四氟四氰基醌二甲烷、7,7,8,8-四氰基對苯二醌二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲和4,4',4”-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺中的至少一種;
及/或,所述空穴傳輸層的材料選自N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、4,4'-環(huán)己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]和N,N'-二苯基-N,N'-雙(4-甲基苯基)聯(lián)苯-4,4'-二胺中的至少一種;
及/或,所述發(fā)光層的材料包括發(fā)光材料和摻雜材料,所述發(fā)光材料選自4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、1,3,5-三(9-咔唑基)苯、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、1,3-雙(三苯基硅)苯、1,4-苯二[三苯基硅烷]自由基離子和4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基聯(lián)苯中的至少一種;所述摻雜材料選自2-叔丁基-4-(二氰基亞甲基)-6-[2-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃、N,N'-二甲基喹吖啶酮、N,N'-二丁基喹吖啶酮、5,12-二丁基-1,3,8,10-四甲基喹吖啶酮、香豆素545T、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯、4,4'-雙[4-(二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯、1,4-雙[4-(二對甲苯氨基)苯乙烯基]苯和3,3'-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)二(9-乙基-9H-咔唑)中的至少一種;
及/或,所述電子傳輸層的材料選自四苯基環(huán)戊二烯酮、3'-苯基-3'H-環(huán)丙[1,9][5,6]富勒烯-C60-Ih-3'-丁酸甲酯、1,3-雙(2,6-二異丙基苯基)氯化咪唑啉鎓、1-(2-溴乙氧基)-4-氯苯、[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯、3-己基取代聚噻吩、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、碘化鉛、鈣鈦礦敏化劑CH3NH3PbI3和甲基碘化胺中的至少一種;
及/或,所述陰極的材料為銀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





