[發明專利]半導體硅片的清洗方法

在審

• 申請號: 201711203006.9
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN109841496A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 李容軍
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/3213
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發明的半導體硅片的清洗方法，依次包括以下步驟：將半導體硅片置于氫氟酸和雙氧水的混合溶液中浸泡；將該半導體硅片置于異丙醇溶劑進行浸泡；將該半導體硅片置于氨水、雙氧水和去離子水的混合液中浸泡；以及采用臭氧水和氫氟酸溶液沖洗該半導體硅片。本發明的清洗方法能高效去除半導體硅片的異常背面金屬，從而提高半導體產品的成品率。

技術領域

本發明涉及半導體硅片領域，尤其涉及一種半導體硅片的清洗方法。

背景技術

在半導體制造工藝中，在硅片的背面會需要形成一層或者多層結構的含金成分的金屬(背面金屬，簡稱背金)。但是如果背面金屬的表面出現異常，例如出現金屬氧化物、污染物等，則會影響后道封裝和器件的可靠性，導致在線報廢率很高。

故此，亟需一種改進的半導體硅片的清洗方法，以克服以上的缺陷。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體硅片的清洗方法，其能高效去除半導體硅片上異常的背面金屬，從而提高半導體硅片的重復利用率，提高半導體產品的成品率。

為實現上述目的，本發明的半導體硅片的清洗方法，依次包括以下步驟：

將半導體硅片置于氫氟酸和雙氧水的混合溶液中浸泡；

將該半導體硅片置于異丙醇溶劑進行浸泡；

將該半導體硅片置于氨水、雙氧水和去離子水的混合液中浸泡；以及

采用臭氧水和氫氟酸溶液沖洗該半導體硅片。

與現有技術相比，本發明的半導體硅片的清洗方法依次采用氫氟酸和雙氧水的混合液、異丙醇溶劑，氨水、雙氧水和去離子的混合液，臭氧水和氫氟酸溶液進行浸泡清洗，可有效去除半導體硅片的有缺陷的背面金屬，從而可重新形成品質良好的背面金屬，因此節省半導體材料成本，且提高半導體產品的成品率。

較佳地，在所述氫氟酸和雙氧水的混合溶液中，所述氫氟酸和所述雙氧水的比例為3：1。

較佳地，在所述氫氟酸和雙氧水的混合溶液中，所述氫氟酸的濃度為4％-8％。

較佳地，半導體硅片置于所述氫氟酸和雙氧水的混合溶液中浸泡的溫度為20-30℃。

較佳地，在所述氨水、雙氧水和去離子水的混合液中，所述氨水、所述雙氧水和所述去離子水的比例為1：1：5。

較佳地，半導體硅片置于所述氨水、雙氧水和去離子水的混合液中浸泡的溫度為45-55℃，時間為10-15分鐘。

較佳地，在采用臭氧水和氫氟酸溶液沖洗該半導體硅片的步驟之后，還包括采用去離子水沖洗該半導體硅片。

較佳地，采用去離子水沖洗該半導體硅片的步驟之后，還包括將該半導體烘干。

較佳地，在該半導體在異丙醇溶劑中浸泡和在氨水、雙氧水和去離子水的混合液中浸泡前，分別采用去離子水沖洗該半導體硅片的表面。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明的半導體硅片的清洗方法作進一步說明，但不因此限制本發明。

本發明的半導體硅片的清洗方法的一個實施例依次包括以下步驟：

將半導體硅片置于氫氟酸和雙氧水的混合溶液中浸泡；

將該半導體硅片置于異丙醇溶劑進行浸泡；

將該半導體硅片置于氨水、雙氧水和去離子水的混合液中浸泡；以及

采用臭氧水和氫氟酸溶液沖洗該半導體硅片。