[發(fā)明專利]半導(dǎo)體硅片的清洗方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711203006.9
• 申請(qǐng)日: 2017-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN109841496A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李容軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/3213
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發(fā)明的半導(dǎo)體硅片的清洗方法，依次包括以下步驟：將半導(dǎo)體硅片置于氫氟酸和雙氧水的混合溶液中浸泡；將該半導(dǎo)體硅片置于異丙醇溶劑進(jìn)行浸泡；將該半導(dǎo)體硅片置于氨水、雙氧水和去離子水的混合液中浸泡；以及采用臭氧水和氫氟酸溶液沖洗該半導(dǎo)體硅片。本發(fā)明的清洗方法能高效去除半導(dǎo)體硅片的異常背面金屬，從而提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的成品率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體硅片領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體硅片的清洗方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造工藝中，在硅片的背面會(huì)需要形成一層或者多層結(jié)構(gòu)的含金成分的金屬(背面金屬，簡(jiǎn)稱背金)。但是如果背面金屬的表面出現(xiàn)異常，例如出現(xiàn)金屬氧化物、污染物等，則會(huì)影響后道封裝和器件的可靠性，導(dǎo)致在線報(bào)廢率很高。

故此，亟需一種改進(jìn)的半導(dǎo)體硅片的清洗方法，以克服以上的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體硅片的清洗方法，其能高效去除半導(dǎo)體硅片上異常的背面金屬，從而提高半導(dǎo)體硅片的重復(fù)利用率，提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的成品率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體硅片的清洗方法，依次包括以下步驟：

將半導(dǎo)體硅片置于氫氟酸和雙氧水的混合溶液中浸泡；

將該半導(dǎo)體硅片置于異丙醇溶劑進(jìn)行浸泡；

將該半導(dǎo)體硅片置于氨水、雙氧水和去離子水的混合液中浸泡；以及

采用臭氧水和氫氟酸溶液沖洗該半導(dǎo)體硅片。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的半導(dǎo)體硅片的清洗方法依次采用氫氟酸和雙氧水的混合液、異丙醇溶劑，氨水、雙氧水和去離子的混合液，臭氧水和氫氟酸溶液進(jìn)行浸泡清洗，可有效去除半導(dǎo)體硅片的有缺陷的背面金屬，從而可重新形成品質(zhì)良好的背面金屬，因此節(jié)省半導(dǎo)體材料成本，且提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的成品率。

較佳地，在所述氫氟酸和雙氧水的混合溶液中，所述氫氟酸和所述雙氧水的比例為3：1。

較佳地，在所述氫氟酸和雙氧水的混合溶液中，所述氫氟酸的濃度為4％-8％。

較佳地，半導(dǎo)體硅片置于所述氫氟酸和雙氧水的混合溶液中浸泡的溫度為20-30℃。

較佳地，在所述氨水、雙氧水和去離子水的混合液中，所述氨水、所述雙氧水和所述去離子水的比例為1：1：5。

較佳地，半導(dǎo)體硅片置于所述氨水、雙氧水和去離子水的混合液中浸泡的溫度為45-55℃，時(shí)間為10-15分鐘。

較佳地，在采用臭氧水和氫氟酸溶液沖洗該半導(dǎo)體硅片的步驟之后，還包括采用去離子水沖洗該半導(dǎo)體硅片。

較佳地，采用去離子水沖洗該半導(dǎo)體硅片的步驟之后，還包括將該半導(dǎo)體烘干。

較佳地，在該半導(dǎo)體在異丙醇溶劑中浸泡和在氨水、雙氧水和去離子水的混合液中浸泡前，分別采用去離子水沖洗該半導(dǎo)體硅片的表面。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體硅片的清洗方法作進(jìn)一步說明，但不因此限制本發(fā)明。

本發(fā)明的半導(dǎo)體硅片的清洗方法的一個(gè)實(shí)施例依次包括以下步驟：

將半導(dǎo)體硅片置于氫氟酸和雙氧水的混合溶液中浸泡；

將該半導(dǎo)體硅片置于異丙醇溶劑進(jìn)行浸泡；

將該半導(dǎo)體硅片置于氨水、雙氧水和去離子水的混合液中浸泡；以及

采用臭氧水和氫氟酸溶液沖洗該半導(dǎo)體硅片。