[發明專利]半導體硅片的清洗方法在審
| 申請號： | 201711203006.9 | 申請日： | 2017-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN109841496A | 公開（公告）日： | 2019-06-04 |
| 發明（設計）人： | 李容軍 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體硅片 雙氧水 浸泡 清洗 氨水 半導體產品 混合溶液中 氫氟酸溶液 異丙醇溶劑 去離子水 成品率 臭氧水 混合液 氫氟酸 沖洗 去除 背面 金屬 | ||
1.一種半導體硅片的清洗方法，依次包括以下步驟：
將半導體硅片置于氫氟酸和雙氧水的混合溶液中浸泡；
將該半導體硅片置于異丙醇溶劑進行浸泡；
將該半導體硅片置于氨水、雙氧水和去離子水的混合液中浸泡；以及
采用臭氧水和氫氟酸溶液沖洗該半導體硅片。
2.如權利要求1所述的半導體硅片的清洗方法，其特征在于：在所述氫氟酸和雙氧水的混合溶液中，所述氫氟酸和所述雙氧水的比例為3：1。
3.如權利要求1所述的半導體硅片的清洗方法，其特征在于：在所述氫氟酸和雙氧水的混合溶液中，所述氫氟酸的濃度為4％-8％。
4.如權利要求1所述的半導體硅片的清洗方法，其特征在于：半導體硅片置于所述氫氟酸和雙氧水的混合溶液中浸泡的溫度為20-30℃。
5.如權利要求1所述的半導體硅片的清洗方法，其特征在于：在所述氨水、雙氧水和去離子水的混合液中，所述氨水、所述雙氧水和所述去離子水的比例為1：1：5。
6.如權利要求4所述的半導體硅片的清洗方法，其特征在于：半導體硅片置于所述氨水、雙氧水和去離子水的混合液中浸泡的溫度為45-55℃，時間為10-15分鐘。
7.如權利要求1所述的半導體硅片的清洗方法，其特征在于：在采用臭氧水和氫氟酸溶液沖洗該半導體硅片的步驟之后，還包括采用去離子水沖洗該半導體硅片。
8.如權利要求7所述的半導體硅片的清洗方法，其特征在于：采用去離子水沖洗該半導體硅片的步驟之后，還包括將該半導體烘干。
9.如權利要求1所述的半導體硅片的清洗方法，其特征在于：在該半導體在異丙醇溶劑中浸泡和在氨水、雙氧水和去離子水的混合液中浸泡前，分別采用去離子水沖洗該半導體硅片的表面。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
