[發明專利]一種形成有集成電路和多晶層的圖形化晶圓的回收方法

有效

• 申請號: 201711202497.5
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN107946179B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 柏友榮;沈思情;宋洪偉;陳猛
• 申請（專利權）人: 上海超硅半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

本發明提供一種形成有集成電路和多晶層的圖形化晶圓的回收方法，屬于集成電路制造技術領域。本發明的方法包括：1)將待回收晶圓廢片浸入第一清洗液，浸泡以去除光刻膠層；所述待回收晶圓廢片是：形成有集成電路和多晶層的圖形化晶圓；2)將經步驟1)處理后的產物浸入第二清洗液中，浸泡以去除多晶層；3)將經步驟2)處理后的產物浸入第三清洗液中，浸泡以去除金屬電路；4)將經步驟3)處理后的產物浸入堿溶液中浸泡處理，浸泡完成后，回收得到晶圓。本發明的方法可以將芯片廠報廢的圖形片經過加工處理后再次使用，填補了國內芯片廠以前報廢的圖形片只能粉碎的情況，因而本發明對于提高芯片廠對晶圓的再次利用起到了極大的作用。

技術領域

本發明涉及集成電路制造技術領域，涉及一種晶圓的回收方法，尤其涉及一種形成有集成電路和多晶層的圖形化晶圓的回收方法。

背景技術

隨著國家大力發展集成電路及其相關領域，各地芯片廠的產能節節攀升，產品應用越來越廣泛；在全球不斷擴大的需求推動下，各大芯片企業不斷擴建新廠區，提升產能以滿足市場需求。但在芯片加工過程中，總是會出現部分產品由于電性能、缺陷等原因導致產品報廢，還有大量陪襯作用的假陪片，這類報廢產品由于價格昂貴且含有保密信息等原因，客戶會要求芯片廠去除表面電路或作粉碎銷毀，但國內芯片廠目前只能作粉碎處理，芯片廠迫切需要將這部分產品在保密的前提下可以利用起來。

在芯片制造過程中，部分產品片由于生產過程的工藝、設備問題導致圖形片失效的，這類晶圓片由于表面有圖形，IC廠無法返工處理，只能作報廢；另產品片的生產需要大量的陪襯片，這類的陪襯片對品質要求很高，由于使用一次之后表面會有圖形殘留，無法再次利用，這類晶圓片也占了IC廠很大的成本，如果能夠將這些報廢的圖形化晶圓片利用起來，這將對IC廠來說是成本的一次革新化舉動。

這類不良的圖形化晶圓片表面結構一般是PR涂層+多層金屬電路層+絕緣層+襯底層；國外傳統工藝一般是通過使用氧化鋁研磨去除表面圖形，但是這類圖形化晶圓片在研磨過程中極易出現劃傷和碎片。

發明內容

針對現有技術中存在的上述問題，本發明的目的在于提供一種晶圓回收的方法，經過本發明的處理工序，光刻膠層、多晶層、金屬電路和集成電路圖形被腐蝕剝離掉，圖形化晶圓表面經剝離腐蝕后圖形全部損壞，實現了報廢的圖形片經加工處理后的再次利用，克服了國內芯片廠以前報廢的圖形片只能粉碎的局限性，對于提高芯片廠對晶圓的再次利用具有重要意義。

為達上述目的，本發明采用以下技術方案：

一種晶圓回收的方法，所述方法包括以下步驟：

(1)將待回收晶圓廢片浸入第一清洗液，浸泡以去除光刻膠層；

所述待回收晶圓廢片是：形成有集成電路和多晶層的圖形化晶圓；

(2)將經步驟(1)處理后的產物浸入第二清洗液中，浸泡以去除多晶層；

(3)將經步驟(2)處理后的產物浸入第三清洗液中，浸泡以去除金屬電路；

(4)將經步驟(3)處理后的產物浸入堿溶液中浸泡處理，浸泡完成后，回收得到晶圓。

本發明的方法中，經過步驟(1)的處理，晶圓表面沉積的光刻膠層被緩慢腐蝕剝離掉；隨后經步驟(2)浸入堿溶液中，多晶層(比如覆蓋在集成電路上的多晶層)被腐蝕剝離；再經過步驟(3)晶圓上的金屬電路被腐蝕剝離掉，最后經步驟(4)再次浸入堿溶液中，晶圓表面的集成電路圖形被破壞掉，從而實現報廢的圖形片經加工處理后的再次利用，填補了國內芯片廠報廢的圖形片只能粉碎的情況，對提高晶圓再次利用起到了極大的促進作用，具有重要意義。

本發明所述圖形化晶圓包括Al-Cu圖形片、Ti-TiN圖形片、Al圖形片、W圖形片、聚合物-金屬(Poly-Metal)圖形片和Au圖形片等，但并不限于上述列舉的圖形化晶圓，其他本領域常用的圖形化晶圓也適用本發明的方法。