[發明專利]一種形成有集成電路和多晶層的圖形化晶圓的回收方法

有效

• 申請號: 201711202497.5
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN107946179B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 柏友榮;沈思情;宋洪偉;陳猛
• 申請（專利權）人: 上海超硅半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種晶圓回收的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)將待回收晶圓廢片浸入第一清洗液，浸泡以去除光刻膠層，所述第一清洗液為硫酸和雙氧水的混合劑，浸入第一清洗液的溫度大于120℃且小于170℃；

所述待回收晶圓廢片是：形成有集成電路和多晶層的圖形化晶圓；

(2)將經步驟(1)處理后的產物浸入第二清洗液中，浸泡以去除多晶層；

(3)將經步驟(2)處理后的產物浸入第三清洗液中，浸泡以去除金屬電路；

(4)將經步驟(3)處理后的產物浸入堿溶液中浸泡處理，浸泡完成后，回收得到晶圓。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述圖形化晶圓包括Al-Cu圖形片、Ti-TiN圖形片、Al圖形片、W圖形片、聚合物-金屬圖形片或Au圖形片中的任意一種或至少兩種的組合。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在步驟(3)之后步驟(4)之前進行步驟(3)’：將經步驟(3)浸泡處理后的產物浸入第四清洗液，浸泡以去除金屬殘留物。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，步驟(3)’浸入第四清洗液的時間為4min-10min。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，步驟(3)’浸泡處理的全過程中，不斷將液面上的金屬漂浮物清理。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，步驟(3)’所述第四清洗液為鹽酸和雙氧水的混合劑。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，步驟(3)’所述第四清洗液中，HCl的質量分數大于10％且小于20％，H₂O₂的質量分數大于10％且小于20％。

8.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，步驟(3)’浸泡完成后，使用純水沖淋。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，當所述圖形化晶圓為Au圖形片或者包含Au的圖形片時，還需要在步驟(4)之后進行步驟(5)：

將經步驟(4)處理后的產物浸入第五清洗液中，所述第五清洗液由質量分數17.75％的HNO₃和質量分數27.75％的HCl構成。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第五清洗液通過如下方法配制得到：將質量分數71％的HNO₃和37％的HCl按照體積比1:3混合，得到第五清洗液。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)浸入第一清洗液的時間為5min-20min。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)浸泡處理的全過程中，每隔1min將待回收晶圓廢片拎起再放下繼續浸泡。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)所述第一清洗液中，H₂SO₄的質量分數大于85％且小于95％，H₂O₂的質量分數大于5％且小于15％。

14.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)為：將硫酸倒入容器中，升溫至溫度100℃-110℃，然后向加熱后的硫酸中加入雙氧水，得到混合劑，繼續加熱至溫度大于120℃且小于170℃，再將待處理晶圓廢片浸入上述混合劑中，浸泡處理5min-20min，從而去除光刻膠層。

15.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)浸泡完成后，使用純水沖淋。