[發(fā)明專利]3DNAND閃存的臺(tái)階接觸孔的構(gòu)建方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711191661.7
• 申請(qǐng)日: 2017-11-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107833889A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張文杰;陳保友;蓋晨光;周文華;宋宏光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/11524
• 分類號(hào): H01L27/11524;H01L21/768
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11619
• 代理人: 劉廣達(dá)

1.3D NAND閃存的臺(tái)階接觸孔的構(gòu)建方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供包括第一臺(tái)階區(qū)域和第二臺(tái)階區(qū)域的襯底堆疊結(jié)構(gòu)，第一臺(tái)階區(qū)域和第二臺(tái)階區(qū)域均設(shè)有金屬臺(tái)階；

刻蝕形成與第一臺(tái)階區(qū)域的金屬臺(tái)階相連通的第一臺(tái)階接觸孔；

在第一臺(tái)階接觸孔的側(cè)壁和底壁沉積氮化硅，形成氮化硅保護(hù)層；

刻蝕除去位于第一臺(tái)階接觸孔的底壁的氮化硅保護(hù)層；

刻蝕形成與第二臺(tái)階區(qū)域的金屬臺(tái)階相連通的第二臺(tái)階接觸孔。

2.如權(quán)利要求1所述的臺(tái)階接觸孔的構(gòu)建方法，其特征在于，

形成的氮化硅層的厚度為30～150埃。

3.如權(quán)利要求1所述的臺(tái)階接觸孔的構(gòu)建方法，其特征在于，

襯底堆疊結(jié)構(gòu)包括硅襯底和位于硅襯底表面的堆疊層，金屬臺(tái)階位于堆疊層內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的臺(tái)階接觸孔的構(gòu)建方法，其特征在于，

金屬臺(tái)階為鎢臺(tái)階。

5.如權(quán)利要求1所述的臺(tái)階接觸孔的構(gòu)建方法，其特征在于，

形成第一臺(tái)階接觸孔和第二臺(tái)階接觸孔的刻蝕方式以及除去底壁的氮化硅的刻蝕工藝均為等離子刻蝕。