[發明專利]半導體裝置結構的形成方法在審
| 申請號： | 201711191016.5 | 申請日： | 2017-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN108122986A | 公開（公告）日： | 2018-06-05 |
| 發明（設計）人： | 林毓超;謝維哲;連浩明;李俊鴻;陳昭成 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 馮志云;張福根 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介電層 芯棒 掩模層 半導體裝置結構 蝕刻 涂布層 圖案化掩模層 沉積介電層 蝕刻掩模 上表面 圖案化 側壁 移除 垂直 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置結構的形成方法，包括：
在一掩模層上圖案化多個芯棒；
在該掩模層和該些芯棒的上表面上形成一蝕刻涂布層；
沉積一介電層于該掩模層和該些芯棒上，其中該介電層的沿著該些芯棒的側壁的一第一厚度大于該介電層的沿著該蝕刻涂布層的一第二厚度；
移除該介電層的水平部分；以及
利用該介電層留下的垂直部分作為一蝕刻掩模，以圖案化該掩模層。
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