[發明專利]納米線半導體器件中內間隔的形成

有效

• 申請號: 201711190421.5
• 申請日: 2017-11-24
• 公開（公告）號: CN108231589B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: K·沃斯汀;L·維特斯;H·梅爾騰斯
• 申請（專利權）人: IMEC非營利協會
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 王穎;郭輝

1.一種在半導體器件的納米線之間形成內間隔的方法，該方法包括：

提供包含至少一個鰭片的半導體結構，其中所述至少一個鰭片包含交替的犧牲材料層和納米線材料層的堆疊，其中所述半導體結構還包含偽柵極，其中所述偽柵極部分覆蓋至少一個鰭片的層堆疊；

至少除去緊鄰偽柵極的犧牲材料；

使緊鄰偽柵極的犧牲材料和納米線材料氧化，分別產生間隔氧化物和納米線氧化物；和

除去納米線氧化物，直到納米線氧化物被完全除去，至少一部分間隔氧化物被保留。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，保留的間隔氧化物是內間隔，其中所述內間隔是半導體結構中納米線之間的間隔。

3.如權利要求1所述的方法，所述方法還包括：

除去緊鄰偽柵極的納米線材料，由此形成溝槽；和

隨后氧化犧牲材料和納米線材料。

4.如權利要求1所述的方法，所述方法還包括：

通過外延生長形成源極-漏極。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，提供半導體結構包括提供納米線材料是Ge且犧牲層材料是SiGe的半導體結構。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，提供半導體結構包括提供其中SiGe的Ge含量低于80％的半導體結構。

7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，除去納米線氧化物通過使用水性非氧化溶液作為蝕刻劑來進行。

8.如權利要求5所述的方法，其特征在于，使犧牲材料和納米線材料氧化根據調節參數來進行，其中所述方法還包括：

在氧化犧牲材料和納米線材料時，調整調節參數以控制間隔氧化物中的Ge含量。

9.如權利要求5所述的方法，所述方法還包括：

在氧化犧牲材料和納米線材料之后，使半導體結構退火，以控制氧化的SiGe層中的Ge含量。

10.如權利要求5所述的方法，其特征在于，氧化在不溶于水或HCl的情況下進行。

11.如權利要求5所述的方法，其特征在于，納米線氧化物包含Ge氧化物，其中除去Ge氧化物用HCl來進行。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，提供半導體結構包括提供納米線材料包含Si且犧牲層材料包含SiGe的半導體結構。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，除去納米線氧化物通過使用HF作為蝕刻劑來進行。

14.如權利要求12所述的方法，其特征在于，除去緊鄰偽柵極的犧牲材料通過在無HF存在下用基于水的選擇性蝕刻來進行。