[發明專利]基板處理裝置

有效

• 申請號: 201711189693.3
• 申請日: 2015-07-02
• 公開（公告）號: CN107845593B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 藤原直澄;江戶徹;澤島隼;下村辰美
• 申請（專利權）人: 斯克林集團公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;H01L21/66
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 宋曉寶;向勇

本發明提供基板處理裝置及方法，以低成本抑制基板的所希望的處理量與實際的處理量的差異和在各部分的處理量的偏差。裝置具有：旋轉保持部，保持基板并使其旋轉；第一供給源，供給第一溫度的第一純水；第二供給源，供給比第一溫度高的第二溫度的第二純水；配管系統，將第一純水分配為一方第一純水和另一方第一純水并引導；處理液供給部，將混合一方第一純水和藥液的處理液供至基板的上表面中央區；第一供給部，將主要包含另一方第一純水的第一液體供至下表面中央區；第二供給部，將主要包含第二純水的第二液體分別供至下表面周邊區與中間區；熱量控制部，獨立控制第一供給部供給的熱量和第二供給部供給的熱量，以便變更基板的徑向的溫度分布。

本申請是申請日為2015年7月2日、申請號為201510382246.4、發明名稱為“基板處理裝置以及基板處理方法”的申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一邊使基板旋轉一邊向基板供給處理液來對基板進行處理的基板處理技術。

背景技術

作為這樣的基板處理技術，在專利文獻1公開了一種基板處理裝置，該基板處理裝置將溫度預先被控制的流體向基板下表面的中心部和周邊部之間的多個部位供給，并且，向基板上表面噴射處理液來對基板進行處理。該裝置具有對從基板的下方的多個部位分別供給的各流體的溫度進行控制的各溫度控制部。并且，各流體的溫度被各溫度控制部控制為，隨著向基板供給的位置從基板的中心部接近周邊部，溫度變高。由此，該裝置能夠抑制由基板的中心部和周邊部的周速度之差引起的基板的溫度差，使利用處理液進行的基板處理均勻化。

另外，在專利文獻2中公開了一種基板處理裝置，該基板處理裝置具有：上噴嘴，位于在水平面內旋轉的圓形基板的上方，并在基板的中央區和周邊區之間掃描；棒狀的下噴嘴，從基板的中央區的下方向周邊區的下方延伸設置。上噴嘴具有能夠將希氫氟酸等藥液向基板的上表面噴出的噴嘴、能夠將純水、或純水和非活性氣體的混合流體等的沖洗液向基板的上表面噴出的噴嘴。下噴嘴具有與基板的下表面相向并能夠將沖洗液向基板的下表面噴出的多個噴出口。該裝置首先從上下兩個噴嘴將藥液向基板噴出，利用藥液進行處理(藥液處理)，接著，從兩個噴嘴噴出沖洗液，進行沖洗處理，在沖洗處理后，進行干燥處理，即，通過使基板高速旋轉，甩掉在基板上附著的液體，以使基板干燥。

在基板的下方，形成有橫穿下噴嘴并沿著基板的旋轉方向流動的氣流。與基板的徑向垂直的平面中的下噴嘴的剖面形狀為翼型。更詳細地說，下噴嘴的下表面是在基板的徑向上延伸的水平面。下噴嘴還具有：水平的上表面，與下表面平行地延伸設置，寬度比下表面窄；上游側連接面，使上表面和下表面各自的在寬度方向上的氣流的上游側的端部彼此連接；下游側連接面，使氣流的下游側的端部彼此連接。上游側連接面的寬度比下游側連接面的寬度充分寬，并且，上游側連接面的梯度也平緩。上游側連接面向下噴嘴的內側凹陷而彎曲，下游側連接面向下噴嘴的外側突出而彎曲。通過基板的旋轉產生的氣流當與下噴嘴碰撞時，被整流為沿著上游側連接面流向基板下表面。此時，通過節流效應，流速也增加。在藥液處理、沖洗處理中從下噴嘴噴出到基板的下表面的藥液和沖洗液借助該氣流沿著基板的下表面順利地擴散。

專利文獻1：日本特許第5123122號公報

專利文獻2：日本特開2012-151439號公報

在這樣的基板處理裝置中，通常，即使基板溫度(處理溫度)例如變化0.1℃～0.2℃左右，基板的厚度方向的處理量(例如蝕刻量等)也變動得大。在專利文獻1的基板處理裝置存在如下問題，即，基板溫度因向基板上表面噴射的處理液和向基板的下表面供給的流體之間的溫度差而發生變動，難以實現所希望的處理量。另外，在這樣的基板處理裝置中，因在基板上形成的膜質的不同和處理液供給位置的掃描的有無，如果不使基板的徑向的溫度分布為不均勻的分布，有時處理液的蝕刻量等的處理量就不會變得均勻。但是，專利文獻1的基板處理裝置還存在如下問題，由于進行抑制基板的中心部和周邊部的溫度差的溫度控制，所以有時因基板的處理條件的不同而難以使基板處理均勻化。進而，專利文獻1的基板處理裝置還存在如下問題，即，溫度控制部的個數增加導致裝置的制造成本增大，并且使溫度控制復雜化。