[發(fā)明專利]基板處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711189693.3 | 申請日： | 2015-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN107845593B | 公開（公告）日： | 2021-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 藤原直澄;江戶徹;澤島隼;下村辰美 | 申請（專利權(quán)）人： | 斯克林集團公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋曉寶;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有：
旋轉(zhuǎn)保持部，將基板保持為水平并使基板旋轉(zhuǎn)，
液體供給源，供給液體，
下噴嘴，位于所述基板的下表面和所述旋轉(zhuǎn)保持部之間，具有在與所述基板的下表面垂直的方向上的厚度薄的扁平的棒狀的形狀，并從所述基板的中央部的下方向所述基板的周邊部的下方延伸設(shè)置，用于將所述液體向所述基板的下表面噴出；
所述下噴嘴具有所述基板的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)端部、旋轉(zhuǎn)方向的上游側(cè)端部以及具有水平的上表面和水平的下表面并與所述下游側(cè)端部和所述上游側(cè)端部分別連接的中央部，
在所述下噴嘴的所述下游側(cè)端部設(shè)置有薄壁部，該薄壁部以比所述上游側(cè)端部更平緩的傾斜梯度，越接近旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)則越薄。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述薄壁部具有梯度比所述上游側(cè)端部更平緩的傾斜的面，所述薄壁部以所述傾斜的面的梯度，越接近旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)則越薄，所述薄壁部的傾斜的面具有上表面與下表面，所述薄壁部的上表面與下表面所成的角度為銳角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述薄壁部中的所述基板的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)的頂端尖。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
