[發(fā)明專利]導(dǎo)通孔的銅填充工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711184322.6
• 申請(qǐng)日: 2017-11-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107978558A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂術(shù)亮;潘杰;馬亮;章星;李遠(yuǎn);萬(wàn)先進(jìn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;C23C14/34;C23C14/16;C23C14/54
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11619
• 代理人: 佟林松

1.導(dǎo)通孔的銅填充工藝，其特征在于，包括以下步驟：

在第一偏壓下，對(duì)導(dǎo)通孔進(jìn)行銅的第一次物理氣相沉積；

在第二偏壓下，對(duì)導(dǎo)通孔繼續(xù)進(jìn)行銅的第二次物理氣相沉積，且第二偏壓小于第一偏壓。

2.如權(quán)利要求1所述的銅填充工藝，其特征在于，

第一偏壓的范圍為500～1000W，第二偏壓的范圍為50～500W。

3.如權(quán)利要求1所述的銅填充工藝，其特征在于，

導(dǎo)通孔的口徑小于等于150nm，導(dǎo)通孔的深寬比小于等于3:1。