[發(fā)明專利]一種模擬內(nèi)部版圖圖形的邊緣冗余圖形生成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711183763.4
• 申請日: 2017-11-23
• 公開（公告）號: CN107958112B
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張美麗;于世瑞
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發(fā)明公開了一種模擬內(nèi)部版圖圖形的邊緣冗余圖形生成方法，采用獲取原始版圖和關(guān)鍵版圖的尺寸；獲取關(guān)鍵版圖的特征圖形，將關(guān)鍵版圖轉(zhuǎn)換為二維坐標系數(shù)組，對二維坐標系數(shù)組進行修改，保留必要特征圖形的對應(yīng)的數(shù)據(jù)，剔除剩余數(shù)據(jù)；二維坐標系數(shù)組轉(zhuǎn)換為冗余圖形，與預(yù)定指標比對修改后，在填充區(qū)域內(nèi)填充冗余圖形。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，得到的冗余圖形與關(guān)鍵版圖非常近似，通過對上述的冗余圖形在原始版圖中的填充，使得冗余圖像可以更好的保護關(guān)鍵版圖地器件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種模擬內(nèi)部版圖圖形的邊緣冗余圖形生成方法。

背景技術(shù)

集成電路版圖除了要體現(xiàn)電路的邏輯或功能以確保版圖原理圖(LVS check，全名為Layout Versus Schematic Check)驗證正確外，還要增加一些與LVS驗證無關(guān)的冗余圖形(dummy)，以減小過程的偏差。

隨著半導體工藝技術(shù)的亞微米化程度的提高，周圍環(huán)境對半導體器件性能的影響越來越明顯。電路和器件的布局產(chǎn)生的效應(yīng)有可能會對器件性能造成不可忽略的影響，包括臨近的阱、柵(Gate)之間的距離、有源區(qū)(AA)之間的距離、有源區(qū)寬度、化學氣相研磨(CMP)過程對研磨區(qū)域應(yīng)力等對器件的影響。傳統(tǒng)的冗余圖形是在集成電路版圖設(shè)計完成之后傳輸?shù)桨雽w制造公司，經(jīng)過冗余圖形添加腳本進行冗余圖形添加，設(shè)計規(guī)則檢查，邏輯運算等過程后做光刻掩膜板出版前的光學近似修正(OPC)。

冗余圖形的設(shè)置一是考慮到刻蝕時出現(xiàn)刻蝕不足或者刻蝕過度，需要通過冗余圖形調(diào)整金屬密度(metal density)；其次是考慮到光的反射和衍射，使關(guān)鍵圖形四周情況大致相當，避免因曝光影響到關(guān)鍵版圖和器件的尺寸以及電路的性能。設(shè)置冗余圖形可有效保護關(guān)鍵版圖中的器件，冗余圖形與關(guān)鍵版圖的圖形越相似保護效果越好。

對于低精度的版圖，經(jīng)過冗余圖形添加之后密度以及密度梯度分布達到設(shè)計規(guī)則的要求即可。但是，隨著集成電路特征尺寸的不斷縮小，關(guān)鍵版圖對環(huán)境的敏感度越來越高，因此，需要進一步提高冗余圖形與關(guān)鍵版圖的相似性，使關(guān)鍵版圖的器件性能越接近設(shè)計的理想值。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)中在半導體制造領(lǐng)域存在的上述問題，現(xiàn)提供一種模擬內(nèi)部版圖圖形的邊緣冗余圖形生成方法。

具體技術(shù)方案如下：

一種模擬內(nèi)部版圖圖形的邊緣冗余圖形生成方法，包括以下步驟：

步驟S1：提供一原始版圖，所述原始版圖包括關(guān)鍵版圖和填充區(qū)域，采用尺寸分析模塊對所述原始版圖進行分析，獲取所述原始版圖和所述關(guān)鍵版圖的特征尺寸；

步驟S2：采用數(shù)組抽取模塊獲取所述關(guān)鍵版圖的特征圖形，并根據(jù)所述特征圖形的種類將所述關(guān)鍵版圖轉(zhuǎn)換為二維坐標系數(shù)組；

步驟S3：采用修改模塊對所述特征圖形進行篩選，獲取所述特征圖形中必要特征圖形，并對所述二維坐標系數(shù)組進行修改，保留所述必要特征圖形的對應(yīng)的數(shù)據(jù)，剔除剩余數(shù)據(jù)；

步驟S4：采用數(shù)組還原模塊將所述二維坐標系數(shù)組轉(zhuǎn)換為冗余圖形；

步驟S5：采用圖形比對模塊對所述冗余圖形和預(yù)定指標進行比對；

若符合所述預(yù)定指標，則進入步驟S7；

若不符合所述預(yù)定指標，則進入步驟S6；

步驟S6：采用修正模塊獲取所述冗余圖形不符合所述預(yù)定指標的項目，根據(jù)所述項目對所述二維坐標系數(shù)組進行修正，返回步驟S4；

步驟S7：采用填充模塊在所述填充區(qū)域內(nèi)填充所述冗余圖形。

優(yōu)選的，所述步驟S2包括以下步驟：

步驟S21：根據(jù)關(guān)鍵版圖的特征尺寸建立第一二維坐標系，原點為關(guān)鍵版圖的左下角端點，橫軸方向水平向右，縱軸方向垂直向上；