[發明專利]一種模擬內部版圖圖形的邊緣冗余圖形生成方法有效
| 申請號: | 201711183763.4 | 申請日: | 2017-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN107958112B | 公開(公告)日: | 2021-05-21 |
| 發明(設計)人: | 張美麗;于世瑞 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G06F30/392 | 分類號: | G06F30/392 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 模擬 內部 版圖 圖形 邊緣 冗余 生成 方法 | ||
1.一種模擬內部版圖圖形的邊緣冗余圖形生成方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟S1:提供一原始版圖,所述原始版圖包括關鍵版圖和填充區域,采用尺寸分析模塊對所述原始版圖進行分析,獲取所述原始版圖和所述關鍵版圖的特征尺寸;
步驟S2:采用數組抽取模塊獲取所述關鍵版圖的特征圖形,并根據所述特征圖形的種類將所述關鍵版圖轉換為二維坐標系數組;
步驟S2包括以下步驟:
步驟S21:根據關鍵版圖的特征尺寸建立第一二維坐標系,原點為關鍵版圖的左下角端點,橫軸方向水平向右,縱軸方向垂直向上;
步驟S22:根據每個特征圖形在關鍵版圖中的位置和第一二維坐標系,獲取每個特征圖形的定位數據;
步驟S23:將類型相同的特征圖形的定位數組進行組合,得到定位數組,將所有的定位數組進行組合,得到二維坐標系數組;
具體地,于步驟S22中,采用以下步驟獲取定位數據:
步驟A1:將每個特征圖形整合為方形結構,獲取每個方形結構在第一二維坐標系中的定位點;
步驟A2:將定位點的坐標值依次排列,并重復最后一個定位點的坐標值,得到定位數據;
步驟S3:采用修改模塊對所述特征圖形進行篩選,獲取所述特征圖形中必要特征圖形,并對所述二維坐標系數組進行修改,保留所述必要特征圖形的對應的數據,剔除剩余數據;
步驟S4:采用數組還原模塊將所述二維坐標系數組轉換為冗余圖形;
步驟S5:采用圖形比對模塊對所述冗余圖形和預定指標進行比對;
若符合所述預定指標,則進入步驟S7;
若不符合所述預定指標,則進入步驟S6;
步驟S6:采用修正模塊獲取所述冗余圖形不符合所述預定指標的項目,根據所述項目對所述二維坐標系數組進行修正,返回步驟S4;
步驟S7:采用填充模塊在所述填充區域內填充所述冗余圖形;
當所述預定指標包括尺寸范圍和距離范圍時,所述步驟S5中還包括以下步驟:
將所述冗余圖形的尺寸與所述尺寸范圍進行比較,將所述冗余圖形之間的距離與所述距離范圍進行比較;
若所述冗余圖形不滿足所述尺寸范圍和/或所述距離范圍,則不符合所述預定指標;
若所述冗余圖形同時滿足所述尺寸范圍和所述距離范圍,則符合所述預定指標;
所述步驟S6中還包括以下步驟:
對于不符合所述尺寸范圍和所述距離范圍的所述冗余圖形,調整所述冗余圖形在所述二維坐標系數組中的定位數據,使得所述冗余圖形滿足所述尺寸范圍和所述距離范圍;或
當所述預定指標包括數量范圍時,所述步驟S5中還包括以下步驟:
將所述冗余圖形的數量與所述數量范圍進行比較;
若所述冗余圖形的數量大于所述數量范圍,則不符合所述預定指標;
若所述冗余圖形的數量不大于所述數量范圍,則符合所述預定指標;
所述步驟S6中還包括以下步驟:
對于不符合所述數量范圍的冗余圖形,刪除部分所述冗余圖形在所述二維坐標系數組中的定位數據至所述冗余圖形的數量調整為所述數量范圍的最大值。
2.根據權利要求1所述的邊緣冗余圖形生成方法,其特征在于,所述步驟S4包括以下步驟:
步驟S41:將所述二維坐標系數組進行拆分,獲取每個所述特征圖形的定位數據;
步驟S42:根據所述關鍵版圖的特征尺寸建立第二二維坐標系;
步驟S43:將每個所述定位數據中的定位點在所述第二二維坐標系依次連接,并根據所述特征圖形的類型進行顏色填充,得到所述冗余圖形。
3.根據權利要求1所述的邊緣冗余圖形生成方法,其特征在于,所述步驟S7包括以下步驟:
步驟S71:根據所述原始版圖的特征尺寸,建立第三二維坐標系,原點為原始版圖的左下角端點,橫軸方向水平向右,縱軸方向垂直向上,并在所述第三二維坐標系中畫出所述填充區域;
步驟S72:將所述填充區域從所述原點開始,從下往上分為多層,每一層的高度與所述冗余圖形的高度相同;
步驟S73:根據所述冗余圖形的所述二維坐標系數組,在每一層的所述填充區域中,將所述冗余圖形按照從左往右順序進行填充。
4.根據權利要求1所述的邊緣冗余圖形生成方法,其特征在于,所述步驟S3中的所述必要特征圖形包括有源區圖形和多晶硅圖形。
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