[發(fā)明專利]用于替代柔性顯示面板進(jìn)行彎折實驗的等效結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711182983.5 | 申請日： | 2017-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN107991166A | 公開（公告）日： | 2018-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳寶 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G01N3/02 | 分類號： | G01N3/02;G01N3/32 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44304 | 代理人： | 孫偉峰,武岑飛 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 替代 柔性 顯示 面板 進(jìn)行 實驗 等效 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種用于替代柔性顯示面板進(jìn)行彎折實驗的等效結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述等效結(jié)構(gòu)包括：
第一柔性基板；
封裝結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第一柔性基板上，所述封裝結(jié)構(gòu)與柔性顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)完全相同；
其中，所述第一柔性基板的厚度能夠確保在相同彎折半徑下所述封裝結(jié)構(gòu)與所述柔性顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)的應(yīng)力相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等效結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一柔性基板由聚萘二甲酸乙二醇酯制作形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等效結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述等效結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)包括：
第一封裝層，設(shè)置于所述第一柔性基板上，所述第一封裝層與柔性顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)的第一薄膜封裝層完全相同；
第二封裝層，設(shè)置于所述第一封裝層上，所述第二封裝層與柔性顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)的第二薄膜封裝層完全相同；
第三封裝層，設(shè)置于所述第二封裝層上，所述第三封裝層與柔性顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)的第三薄膜封裝層完全相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等效結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一封裝層和所述第三封裝層由硅的氮化物制作形成，所述第二封裝層由硅的氧化物制作形成。
5.一種用于替代柔性顯示面板進(jìn)行彎折實驗的等效結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述等效結(jié)構(gòu)包括：
第一柔性基板；
封裝結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第一柔性基板上，所述封裝結(jié)構(gòu)與柔性顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)完全相同；
第二柔性基板，設(shè)置于所述封裝結(jié)構(gòu)上；
其中，所述第一柔性基板和所述第二柔性基板的厚度能夠確保在相同彎折半徑下所述封裝結(jié)構(gòu)與所述柔性顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)的應(yīng)力相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等效結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二柔性基板的厚度與所述封裝結(jié)構(gòu)的應(yīng)力成線性關(guān)系。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的等效結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二柔性基板的厚度隨著所述第一柔性基板的厚度的增加而增加。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等效結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一柔性基板和所述第二柔性基板均由聚萘二甲酸乙二醇酯制作形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等效結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述等效結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)包括：
第一封裝層，設(shè)置于所述第一柔性基板上，所述第一封裝層與柔性顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)的第一薄膜封裝層完全相同；
第二封裝層，設(shè)置于所述第一封裝層上，所述第二封裝層與柔性顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)的第二薄膜封裝層完全相同；
第三封裝層，設(shè)置于所述第二封裝層上，所述第三封裝層與柔性顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)的第三薄膜封裝層完全相同，所述第二柔性基板設(shè)置于所述第三封裝層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等效結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一封裝層和所述第三封裝層由硅的氮化物制作形成，所述第二封裝層由硅的氧化物制作形成。
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