[發明專利]一種陣列基板及其制備方法

在審

• 申請號: 201711181322.0
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN107946245A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 姜春生
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 袁江龍

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板及其制備方法。

背景技術

AMOLED(有源矩陣有機發光二極管)因為具備輕薄、省電、固態顯示、高頻、主動發光、對比度高等特性，而越來越多的被使用，因此，作為AMOLED關鍵技術中的薄膜晶體管的制備也成為AMOLED制程中的重中之重。

現有技術中，AMOLED的薄膜晶體管一般通過至少九道掩膜工藝才能形成頂柵低溫多晶硅薄膜晶體管，而至少九道的掩膜工藝導致薄膜晶體管的制備效率低、成本高。

發明內容

本發明主要是提供一種陣列基板及其制備方法，旨在解決陣列基板的掩膜工藝過多而使得陣列基板的制備效率低、成本高的問題。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種陣列基板的制備方法，所述方法包括：在基板上形成導體層，并通過第一道掩膜工藝使得所述導體層形成第一源漏極導體區、第二源漏極導體區及像素電極區；通過第二道掩膜工藝使得所述第一源漏極導體區形成第一半導體區、所述第二源漏極導體區形成第二半導體區；在所述導體層上形成介電層；在所述介電層上通過第三道掩膜工藝形成柵極圖案層；形成覆蓋所述柵極圖案層的保護層，并通過第四道掩膜工藝形成與所述第一源漏極導體區連通的第一過孔及與所述第二源漏極導體區連通的第二過孔；通過第五道掩膜工藝在所述第一過孔及所述第二過孔中形成連接所述第一源漏極導體區與所述第二源漏極導體區的第一連接圖案層；在所述保護層上形成鈍化層并通過第六道掩膜工藝裸漏至少部分所述像素電極區。。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種陣列基板，所述陣列基板包括薄膜晶體管區及像素電極區，所述像素電極區至少部分裸露于所述薄膜晶體管區；其中，所述薄膜晶體管區包括：在基板上形成的源漏極導體區，所述像素電極區在所述基板上與所述源漏極導體區連接；覆蓋所述源漏極導體區及所述像素電極區的介電層；形成于所述介電層上的柵極圖案層；覆蓋所述柵極圖案層的保護層；形成于所述保護層上的鈍化層。本發明的有益效果是：區別于現有技術的情況，本發明通過六道掩膜工藝形成陣列基板的方法，相較于現有技術中的至少九道掩膜工藝，減少了掩膜工藝的次數，提高了生產效率，降低了生產成本。

附圖說明

圖1是本發明提供的陣列基板的制備方法實施例的流程示意圖；

圖2-圖9是圖1中各步驟形成的陣列基板的截面示意圖；

圖10是圖1中步驟S11的具體流程示意圖。

具體實施方式

為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖和具體實施方式對本發明所提供的一種陣列基板及其制備方法做進一步詳細描述。

共同參閱圖1至圖9，本發明提供的陣列基板的制備方法實施例包括：

S11：在基板101上形成導體層102；

參閱圖10，該步驟S11可具體包括：

S111：在基板101上形成緩沖層103；

具體地，在將基板101清洗干凈之后，可通過物理氣相沉積法或化學氣相沉積法在基板101上沉積氮化硅或氧化硅膜層，以形成緩沖層103。

可選的，基板101包括但不限于玻璃基板或硅片基板。

S112：在緩沖層102上沉積石墨烯以形成導體層102。

具體地，可通過化學氣相沉積法在緩沖層103上沉積石墨烯以形成導體層102。

S12：通過第一道掩膜工藝使得導體層102形成第一源漏極導體區104、第二源漏極導體區105及像素電極區106；

具體地，在導體層102上通過光阻涂布形成光阻層，然后通過曝光、顯影處理以形成圖案化光阻層，并在化學氣相沉積室中通過氫氣等離子處理技術，將圖案化光阻層中未被光阻層覆蓋的導體層102蝕刻掉，最后通過灰化工藝去除圖案化光阻層，即可將導體層102形成兩個間隔設置的部分，其中一部分為第一源漏極導體區104，另一部分為第二源漏極導體區105及像素電極區106。

S13：通過第二道掩膜工藝使得第一源漏極導體區104形成第一半導體區1041、第二源漏極導體區105形成第二半導體區1051；

具體地，依次通過光阻涂布、曝光及顯影形成圖案化光阻層以分別在第一源漏極導體區104和第二源漏極導體區105上定義出第一溝道區和第二溝道區，然后通過氮氣等離子工藝使得第一溝道區和第二溝道區的石墨烯具有半導體特性，即可使得第一溝道區及第二溝道區形成第一半導體區1041及第二半導體區1051。