[發明專利]一種陣列基板及其制備方法

在審

• 申請號: 201711181322.0
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN107946245A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 姜春生
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 袁江龍

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上形成導體層，并通過第一道掩膜工藝使得所述導體層形成第一源漏極導體區、第二源漏極導體區及像素電極區；

通過第二道掩膜工藝使得所述第一源漏極導體區形成第一半導體區、所述第二源漏極導體區形成第二半導體區；

在所述導體層上形成介電層；

在所述介電層上通過第三道掩膜工藝形成柵極圖案層；

形成覆蓋所述柵極圖案層的保護層，并通過第四道掩膜工藝形成與所述第一源漏極導體區連通的第一過孔及與所述第二源漏極導體區連通的第二過孔；

通過第五道掩膜工藝在所述第一過孔及所述第二過孔中形成連接所述第一源漏極導體區與所述第二源漏極導體區的第一連接圖案層；

在所述保護層上形成鈍化層并通過第六道掩膜工藝裸漏至少部分所述像素電極區。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上形成導體層包括：

在所述基板上形成緩沖層；

在所述緩沖層上沉積石墨烯以形成所述導體層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極圖案層包括第一柵極圖案層及第二柵極圖案層，所述第一柵極圖案層及所述第二柵極圖案層分別與所述第一源漏極導體區及所述第二源漏極導體區對應設置。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一源漏極導體區包括設置于所述第一半導體區兩側的第一源極和第一漏極，所述第二源漏極導體區包括設置于所述第二半導體區兩側的第二源極和第二漏極，所述第一過孔貫穿所述保護層和所述介電層并與所述第一漏極連通，所述第二過孔貫穿所述保護層和所述介電層并與所述第二源極連通。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，

所述通過第四道掩膜工藝形成與所述第一源漏極導體區連通的第一過孔及與所述第二源漏極導體區連通的第二過孔進一步包括：

通過第四道掩膜工藝形成與所述第一源極連通的第三過孔；

所述通過第五道掩膜工藝在所述第一過孔及所述第二過孔中形成連接所述第一源漏極導體區與所述第二源漏極導體區的第一連接圖案層進一步包括：

通過第五道掩膜工藝在所述第三過孔中形成連接所述第一源極及所述陣列基板的周邊電路的第二連接圖案層。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述通過第二道掩膜工藝使得所述第一源漏極導體區形成第一半導體區進一步包括：

通過第二道掩膜工藝使得所述第一源漏極導體區形成與所述第一源極連接的數據線層。

7.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括包括薄膜晶體管區及像素電極區，所述像素電極區至少部分裸露于所述薄膜晶體管區；

其中，所述薄膜晶體管區包括：

在基板上形成的源漏極導體區，所述像素電極區在所述基板上與所述源漏極導體區連接；

覆蓋所述源漏極導體區的介電層；

形成于所述介電層上的柵極圖案層；

覆蓋所述柵極圖案層的保護層；

形成于所述保護層上的鈍化層。

8.根據權利要7所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏極導體區包括第一源漏極導體區及第二源漏極導體區，所述第一源漏極導體區及所述第二源漏極導體區間隔設置，所述像素電極區與所述第二源漏極導體區連接。

9.根據權利要8所述的陣列基板，其特征在于，所述保護層設有分別連通所述所述第一源漏極導體區及所述第二源漏極導體區的第一過孔及第二過孔，所述陣列基板進一步包括第一連接圖案層，所述第一連接圖案層通過所述第一過孔及所述第二過孔電連接所述所述第一源漏極導體區及所述第二源漏極導體區。

10.根據權利要8所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極圖案層包括第一柵極圖案層及第二柵極圖案層，所述第一柵極圖案層及所述第二柵極圖案層分別與所述第一源漏極導體區及所述第二源漏極導體區對應設置。