[發明專利]一種H橋的檢測系統及檢測方法

有效

• 申請號: 201711180446.7
• 申請日: 2017-11-23
• 公開（公告）號: CN107861019B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發明（設計）人: 黃濤濤;趙春波;魏榮峰;姚進光;段勇
• 申請（專利權）人: 深圳市巴丁微電子有限公司
• 主分類號: G01R31/66
• 分類號: G01R31/66
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 唐致明;洪銘福

本發明公開了一種H橋的檢測系統及方法。本發明提供一種H橋的檢測系統及檢測方法，H橋的檢測系統包括脈沖產生電路、第一采樣電阻、第二采樣電阻和電位比較電路，電路結構簡單且可以實現H橋的連接狀態檢測；脈沖產生電路產生脈沖輸入第一H橋的電源負極端后，通過電位比較電路檢測第一H橋的電源負極端和第二H橋的電源負極端的電位是否一致，以判斷第一H橋和第二H橋的連接狀態，H橋的連接狀態檢測方法快捷方便，且檢測結果精確。

技術領域

本發明涉及電機驅動領域，尤其是涉及一種H橋的檢測系統及檢測方法。

背景技術

在電機驅動中，驅動芯片內部采用H橋對電機進行驅動，驅動一個步進電機需要兩個H橋，驅動一個直流有刷電機需要一個H橋?，F在為了加大H橋對電機的驅動能力，將兩個H橋并聯后用來驅動同一個電機，從而增大驅動電流，加大對電機的驅動能力，在這種情況下，由于信號傳輸路徑不同而產生延遲，會導致兩個H橋發生串通現象，使得兩個H橋沒有有效并聯起來，無法實現H橋的正常并聯應用，因此需要檢測兩個H橋是否并聯，并根據檢測到的是否并聯的結果做進一步的處理。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明的目的是提供一種H橋的檢測系統及檢測方法，用于檢測兩個H橋是否為并聯應用。

本發明所采用的技術方案是：一種H橋的檢測系統，所述H橋的檢測系統包括第一H橋、第二H橋、脈沖產生電路、第一采樣電阻、第二采樣電阻和電位比較電路，所述第一H橋、第二H橋均用于驅動電機，是待檢測是否并聯的兩個H橋，所述第一H橋、第二H橋與電機連接；所述脈沖產生電路的輸出端與第一H橋的電源負極端連接，用于輸出瞬時脈沖到第一H橋的電源負極端；所述第一H橋的電源負極端通過第一采樣電阻接地，所述第二H橋的電源負極端通過第二采樣電阻接地；所述第一采樣電阻的非接地端(即第一H橋的電源負極端)、第二采樣電阻的非接地端(即第二H橋的電源負極端)與電位比較電路的輸入端連接；所述電位比較電路用于當瞬時脈沖輸入到第一H橋的電源負極端時，檢測第一H橋的電源負極端和第二H橋的電源負極端的電位是否一致，以判斷第一H橋和第二H橋的連接狀態。

進一步地，所述第一H橋包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述第一NMOS管的漏極、第二NMOS管的漏極作為第一H橋的電源正極端與電源正極連接，所述第一NMOS管的源極與第三NMOS管的漏極連接，所述第二NMOS管的源極與第四NMOS管的漏極連接，所述第三NMOS管的源極、第四NMOS管的源極作為第一H橋的電源負極端。

進一步地，所述第二H橋包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第五NMOS管的漏極、第六NMOS管的漏極作為第二H橋的電源正極端與電源正極連接，所述第五NMOS管的源極與第七NMOS管的漏極連接，所述第六NMOS管的源極與第八NMOS管的漏極連接，所述第七NMOS管的源極、第八NMOS管的源極作為第二H橋的電源負極端。

進一步地，所述電位比較電路包括電位比較器，所述第一采樣電阻的非接地端、第二采樣電阻的非接地端與電位比較器的輸入端連接。

進一步地，所述第一H橋的電源負極端和第二H橋的電源負極端的電位相等時，所述電位比較器輸出高電平信號，所述第一H橋和第二H橋是并聯應用；所述第一H橋的電源負極端和第二H橋的電源負極端的電位不相等時，所述電位比較器輸出低電平信號，所述第一H橋和第二H橋非并聯應用。

進一步地，所述電位比較電路還包括單片機和檢測結果提示單元，所述電位比較器的輸出端與單片機的輸入端連接，所述單片機的輸出端與檢測結果提示單元的輸入端連接。

進一步地，所述檢測結果提示單元為指示燈和/或語音輸出單元和/或顯示單元。

本發明所采用的另一技術方案是：一種H橋的檢測方法，應用于所述的H橋的檢測系統，包括以下步驟，

利用脈沖產生電路產生瞬時脈沖并輸入第一H橋的電源負極端；