[發明專利]一種H橋的檢測系統及檢測方法

有效

• 申請號: 201711180446.7
• 申請日: 2017-11-23
• 公開（公告）號: CN107861019B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發明（設計）人: 黃濤濤;趙春波;魏榮峰;姚進光;段勇
• 申請（專利權）人: 深圳市巴丁微電子有限公司
• 主分類號: G01R31/66
• 分類號: G01R31/66
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 唐致明;洪銘福

1.一種H橋的檢測系統，所述H橋的檢測系統包括第一H橋和第二H橋，所述第一H橋、第二H橋均用于驅動電機，所述第一H橋、第二H橋與電機連接；其特征在于，

所述H橋的檢測系統還包括脈沖產生電路、第一采樣電阻、第二采樣電阻和電位比較電路；所述脈沖產生電路的輸出端與第一H橋的電源負極端連接，用于輸出瞬時脈沖到第一H橋的電源負極端；所述第一H橋的電源負極端通過第一采樣電阻接地，所述第二H橋的電源負極端通過第二采樣電阻接地；所述第一采樣電阻的非接地端、第二采樣電阻的非接地端與電位比較電路的輸入端連接；所述電位比較電路用于當瞬時脈沖輸入到第一H橋的電源負極端時，檢測第一H橋的電源負極端和第二H橋的電源負極端的電位是否一致，以判斷第一H橋和第二H橋的連接狀態。

2.根據權利要求1所述的H橋的檢測系統，其特征在于，所述第一H橋包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述第一NMOS管的漏極、第二NMOS管的漏極作為第一H橋的電源正極端與電源正極連接，所述第一NMOS管的源極與第三NMOS管的漏極連接，所述第二NMOS管的源極與第四NMOS管的漏極連接，所述第三NMOS管的源極、第四NMOS管的源極作為第一H橋的電源負極端。

3.根據權利要求1所述的H橋的檢測系統，其特征在于，所述第二H橋包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第五NMOS管的漏極、第六NMOS管的漏極作為第二H橋的電源正極端與電源正極連接，所述第五NMOS管的源極與第七NMOS管的漏極連接，所述第六NMOS管的源極與第八NMOS管的漏極連接，所述第七NMOS管的源極、第八NMOS管的源極作為第二H橋的電源負極端。

4.根據權利要求1至3任一項所述的H橋的檢測系統，其特征在于，所述電位比較電路包括電位比較器，所述第一采樣電阻的非接地端、第二采樣電阻的非接地端與電位比較器的輸入端連接。

5.根據權利要求4所述的H橋的檢測系統，其特征在于，所述電位比較電路還包括單片機和檢測結果提示單元，所述電位比較器的輸出端與單片機的輸入端連接，所述單片機的輸出端與檢測結果提示單元的輸入端連接。

6.根據權利要求5所述的H橋的檢測系統，其特征在于，所述檢測結果提示單元為指示燈和/或語音輸出單元和/或顯示單元。

7.根據權利要求4所述的H橋的檢測系統，其特征在于，所述第一H橋的電源負極端和第二H橋的電源負極端的電位相等時，所述電位比較器輸出高電平信號，所述第一H橋和第二H橋是并聯應用；所述第一H橋的電源負極端和第二H橋的電源負極端的電位不相等時，所述電位比較器輸出低電平信號，所述第一H橋和第二H橋非并聯應用。

8.一種H橋的檢測方法，其特征在于，應用于權利要求1至7任一項所述的H橋的檢測系統，包括以下步驟，

利用脈沖產生電路產生瞬時脈沖并輸入第一H橋的電源負極端；

當所述瞬時脈沖輸入到第一H橋的電源負極端時，利用電位比較電路檢測第一H橋的電源負極端和第二H橋的電源負極端的電位是否一致，以判斷第一H橋和第二H橋的連接狀態。

9.根據權利要求8所述的H橋的檢測方法，其特征在于，所述第一H橋的電源負極端和第二H橋的電源負極端的電位相等時，所述電位比較電路輸出高電平信號，所述第一H橋和第二H橋是并聯應用；所述第一H橋的電源負極端和第二H橋的電源負極端的電位不相等時，所述電位比較電路輸出低電平信號，所述第一H橋和第二H橋非并聯應用。

10.根據權利要求8或9所述的H橋的檢測方法，其特征在于，所述H橋的檢測方法還包括步驟：

輸出判斷結果。